【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造检测设备，尤其涉及一种两次反射式晶圆定位检测装置。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的日益发展，晶圆种类也是日益繁多半，企业为了提高半导体的生产效率，需要使半导体制造检测设备满足对不同尺寸的晶圆的检测及加工需求，这就使得半导体制造检测设备需要不断发展改进，才能兼容市场上更多尺寸及类型的晶圆的生产制造。而在半导体制造过程中，半导体制造检测设备的晶圆定位检测装置通常被安装在两道工序之间，用来进行晶圆位置的检测。当晶圆完成上一道工序后，通过晶圆定位检测装置的传输端的机械手臂取出并传输到晶圆定位检测装置的检测端进行检测，再由机械手臂传输到不同工艺反应室以进行下一道工序，可见晶圆定位检测装置在晶圆传输过程中起到关键性作用。受制于现有半导体制造检测设备的空间有限，这就需要晶圆定位检测装置不断地精简尺寸大小，更能适应不同种类的晶圆定位检测需求。
2、现有技术中，对射式的晶圆定位检测装置需要把晶圆放置在两个传感器之间，这样就使得晶圆的上部空间与下部空间都必须留出足够的空间来安装对射传感器，占用空间较大，部分半导体制造检测...
【技术保护点】
1.两次反射式晶圆定位检测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的两次反射式晶圆定位检测装置，其特征在于，所述两次反射式晶圆定位检测装置还包括位移模块，所述位移模块被配置为能使晶圆(8)移动以选择性地通过所述接收传感器(3)和所述第二棱镜(5)之间；所述接收传感器(3)与所述位移模块通讯连接，当所述接收传感器(3)收集到所述光电信号的数值与预设标值相等时，所述接收传感器(3)能使所述位移模块停机。
3.根据权利要求2所述的两次反射式晶圆定位检测装置，其特征在于，当所述接收传感器(3)收集到所述光电信号的数值大于预设标值时，所述位移模块...
【技术特征摘要】
1.两次反射式晶圆定位检测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的两次反射式晶圆定位检测装置，其特征在于，所述两次反射式晶圆定位检测装置还包括位移模块，所述位移模块被配置为能使晶圆(8)移动以选择性地通过所述接收传感器(3)和所述第二棱镜(5)之间；所述接收传感器(3)与所述位移模块通讯连接，当所述接收传感器(3)收集到所述光电信号的数值与预设标值相等时，所述接收传感器(3)能使所述位移模块停机。
3.根据权利要求2所述的两次反射式晶圆定位检测装置，其特征在于，当所述接收传感器(3)收集到所述光电信号的数值大于预设标值时，所述位移模块能使所述晶圆(8)沿所述预设距离的延伸方向继续移动；当所述接收传感器(3)收集到所述光电信号的数值小于预设标值时，所述位移模块能使所述晶圆(8)沿所述预设距离的延伸方向的反向移动。
4.根据权利要求2所述的两次反射式晶圆定位检测装置，其特征在于，所述位移模块包括伺服电机和机械臂，所述伺服电机设置有预设编码程序，以使所述伺服电机能驱动所述机械臂，所述机械臂被配置为能夹持所述晶圆(8)，所述接收传感器(3)与所述伺服电机通讯连接。
5.根据权利要求2所述的两次反射式晶圆定位检测装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔彬，相宇阳，戴金方，耿晓杨，
申请(专利权)人：无锡卓海科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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