半导体结构及其形成方法技术

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域；深沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底中包围所述第一区域；第一掺杂区，位于所述第一区域与所述深沟槽隔离结构邻接的位置；位于所述第一掺杂区包围的第一区域中的阱区、位于所述阱区中的光电二极管和包围所述阱区的第二掺杂区；电阻层，位于所述第二掺杂区上。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，利用深沟槽隔离结构的纵向空间形成电容结构，可以提高芯片面积利用率；猝灭用的电阻层设置于作为保护环的第二掺杂区上，可以降低暗计数，提高器件性能和器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、车用三维距离成像系统由于其应用场景的特点，在性能上的核心需求为探测距离长，环境背景亮度高，行驶速度快。因此相比移动终端用dtof(直接时间飞行)光学传感器通常有高增益、高敏感度、高时间分辨率的性能指标需求。

2、三维距离成像系统的光学传感器一种常见的表现形式为sipm(硅光电倍增管)。sipm由多个spad(单光子雪崩二极管)并联组成，通常每个spad单元独立串联一个淬灭电阻，阴极和阳极分别并联，一个阵列作为一个像素输出信号，多个阵列可实现三维成像。三维距离成像光学传感器高时间分辨率的性能需求，要求整个传感器和读出电路系统具有较低的寄生电阻/电容，以尽可能缩短spad的恢复时间。三维距离成像系统对spad传感器高增益的需求，常常要求spad的过电压较高从而以获得更高的光子探测效率，因此工作电压也较高，这对器件的电学隔离/dcr降低等需求提出了更高的挑战。为了获得更高的过电压与较低的恢复时间，spad阵列常用的读出电路方式之一为复合淬灭,即由cmos电路实现的门控主动淬灭与由大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成包围所述第一区域的深沟槽隔离结构的方法包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沉积工艺的沉积速率为50至200埃/分钟；所述第二沉积工艺的沉积速率为250至450埃/分钟。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述深沟槽在拐角位置的宽度小于所述深沟槽在其他位置的宽度；所述深沟槽在拐角位置被所述第一绝缘层和第二绝缘层填满。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成包围所述第一区域的深沟槽隔离结构的方法包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沉积工艺的沉积速率为50至200埃/分钟；所述第二沉积工艺的沉积速率为250至450埃/分钟。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述深沟槽在拐角位置的宽度小于所述深沟槽在其他位置的宽度；所述深沟槽在拐角位置被所述第一绝缘层和第二绝缘层填满。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一层间介质层中形成贯穿所述第一层间介质层并延伸至所述深沟槽隔离结构中的金属隔离层的方法包括：

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一区域表...

【专利技术属性】
技术研发人员：阎大勇，陈星，王志高，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：