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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域；深沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底中包围所述第一区域；第一掺杂区，位于所述第一区域与所述深沟槽隔离结构邻接的位置；位于所述第一掺杂区包围的第一区域...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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