一种平面型场效应管及包括其的电路制造技术

本发明专利技术公开了一种平面型场效应管及包括其的电路。自下而上依次包括硅衬底、埋氧层和有源区，以及在有源区上的本征区、绝缘槽、栅极区、源极区、漏极区和平面衬底区，绝缘槽和本征区相邻布置形成第一区域，绝缘槽宽的方向为第一方向，绝缘槽长的方向为第二方向，在第一方向上，栅极区布置于第一区域的一侧且靠近绝缘槽，所述平面衬底区布置于第一区域的另一侧且靠近本征区，在第二方向上源极区布置于第一区域的一侧，漏极区布置于第一区域的另一侧。本发明专利技术通过将场效应管的结构水平分布在有源区内，解决了微电子工艺中和硅光冲突的问题，实现了晶体管和硅光工艺的兼容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及了半导体和集成光电子器件领域，具体涉及一种平面型场效应管及包括其的电路。

技术介绍

1、近年来，随着深度学习技术的蓬勃发展，其以惊人的速度推动着人工智能领域的进步。而其中一个显著的挑战便是，在不断增长的模型参数下，训练和推理过程所需的带宽日益成为制约技术发展的瓶颈。与传统的电互联相比，光互联拥有着无可比拟的带宽优势，并且在并行计算中具有至关重要的作用。

2、在光互联技术中，大规模可重构的集成光计算芯片的应用，不仅可以实现光的各种属性的有效复用，还可以极大地加速人工智能模型的训练和推理过程。目前，包含基于马赫曾德干涉仪(mzi)的空间复用架构、基于微环谐振器(mrr)的波长复用架构和基于延时线的时分复用架构在内的众多集成光计算结构被提出并吸引了广泛的研究。

3、当深度学习技术需要应用非线性激活函数时，它所面临的主要问题在于，在光计算中，难以实现非线性激活函数的运算。因此，一般的做法是借助材料本身的非线性或引入特殊的材料，以达到实现非线性效应的目的。但这些架构往往存在着对输入光功率的要求，只有达到一定阈值，才能实现明显的非本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种平面型场效应管，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种平面型场效应管，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的一种平面型场效应管，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的一种平面型场效应管，其特征在于：

5.根据权利要求2所述的一种平面型场效应管，其特征在于：

6.根据权利要求2所述的一种平面型场效应管，其特征在于：

7.根据权利要求2所述的一种平面型场效应管，其特征在于：

8.一种包括如权利要求1-7任一所述的平面型双极晶体管的电路，其特征在于：

【技术特征摘要】

1.一种平面型场效应管，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种平面型场效应管，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的一种平面型场效应管，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的一种平面型场效应管，其特征在于：

5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欢，高淳，戴道锌，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：