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本发明公开了一种平面型场效应管及包括其的电路。自下而上依次包括硅衬底、埋氧层和有源区，以及在有源区上的本征区、绝缘槽、栅极区、源极区、漏极区和平面衬底区，绝缘槽和本征区相邻布置形成第一区域，绝缘槽宽的方向为第一方向，绝缘槽长的方向为第二方向...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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