【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光通信，特别涉及一种电光调制器及其光芯片、光模块和光通信系统。
技术介绍
1、随着ai、5g等新兴业务的不断涌现和普及，长距光通信领域和数据中心互联传输总量急剧增长，如何持续提高传输系统的速率，降低传输系统功耗是光通信技术发展的重点。在光通信系统中，电光调制器是光通信系统中实现电信号到光信号转换的核心部件，更高效率、高带宽、更低功耗的电光调制器对于实现更高性能的光通信系统具有非常重要的意义。薄膜铌酸锂(thinfilm lithium niobate.tfln)调制器由于具备低光损耗、高带宽等优势，可被应用于400g甚至更高波特率的光通信领域。目前tfln调制器主要驱动形态是单端驱动，单端驱动的电芯片中需要包括复杂的外围电路(包括电容、电感等)，导致该电芯片尺寸较大、成本较高，不利于电芯片的小型化与成本降低。因此，需要开发一种小尺寸的tfln调制器。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种电光调制器及其光芯片、光模块和光通信系统，该电光调制器完美解决现有tfln调制器单端驱动的技术难点，能够实现更小尺寸，更低成本，更适合未来先进封装演进的光调制器，光模块以及光通信系统，具有良好的应用前景。
2、本专利技术提供了一种电光调制器，包括：
3、提供一基底；
4、位于所述基底一侧的绝缘层；
5、位于所述绝缘层中的调制光路；
6、所述调制光路包括输入电极部分和电光调制部分；
7、所述输入电
8、所述电光调制部分包括：第一调制电极、第二调制电极、第一调制光路和第二调制光路；所述第一调制电极通过第一桥接电极连接第一调制一子电极和第一调制器二子电极；所述第二调制电极通过第二桥接电极连接第二调制一子电极和第二调制器二子电极；所述第一调制一子电极、第二调制一子电极位于所述第一调制光路两侧，所述第一调制二子电极、第二调制二子电极位于所述第二调制光路两侧；
9、第一调制电极连接所述第一输入电极用于接收所述第一调制信号，所述第二调制电极连接所述第二输入电极用于接收所述第二调制信号；所述第一调制电极和所述第二调制电极分别通过第一调制一子电极、第一调制二子电极、第二调制一子电极、第二调制二子电极调制所述第一调制光路和所述第二调制光路的输入光，调制后的输入光从所述第一调制光路和所述第二调制光路输出，合束后得到输出光。
10、进一步的，所述基底设置若干空腔或者不设置空腔。当设置若干空腔时，空腔形状和位置可以是相同的，也可以是不同形状的组合。
11、进一步的，所述第一调制电极和所述第二调制电极分段或同时调制第一调制光路和第二调制光路的输入光，所述第一调制电极可以通过不同桥接电极桥接到第一调制子电极和第一调制二子电极；所述第二调制电极可以通过不同桥接电极桥接到第二调制一子电极和第二调制二子电极；所述第一调制电极和所述第二调制电极可以分段调制第一调制光路和第二调制光路的输入光，调制后的输入光从所述第一调制光路和所述第二调制光路输出。
12、进一步的，所述第一调制电极通过单层或者多层桥接实现与第一调制一子电极和第一调制二子电极的连接；所述第二调制电极通过单层或者多层桥接实现与第二调制一子电极和第二调制二子电极的连接。
13、进一步的，所述第一调制光路和第二调制光路的电光材料为铌酸锂、钛酸钡或锆钛酸铅；所述第一调制光路和第二调制光路为直波导光路或弯曲波导光路。
14、进一步的，所述电极(包括第一调制电极、第二调制电极、第一桥接电极、第二桥接电极、第一调制一子电极、第一调制二子电极、第二调制一子电极、第二调制二子电极)材料为金属或透明导电氧化物。
15、进一步的，所述电光调制器还包括第一特征电阻和第二特征电阻；所述第一特征电阻和所述第二特征电阻串联在第一调制电极和第二调制电极之间。
16、本专利技术还提供了一种集成光芯片，包括：
17、激光器，用于作为发射光信号的光源；
18、所述的电光调制器，与所述激光器耦接，用于接收输入光，并用于调制所述输入光后输出调制光；
19、探测器，用于探测被调制光。
20、本专利技术还提供了一种集成芯片，包括电芯片，以及所述的光芯片；所述电芯片通过打线或者球焊的方式和光芯片连接。
21、本专利技术还提供了一种光模块，其特征在于，包括所述的集成芯片。
22、本专利技术还提供了一种光通信设备，其特征在于，包括所述的集成芯片或者所述的光模块。
23、有益效果
24、本专利技术完美解决现有tfln调制器单端驱动的技术难点，能够实现更小尺寸，更低成本，更适合未来先进封装演进的光调制器，光模块以及光通信系统，具有良好的应用前景。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电光调制器，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述基底(S1)设置若干空腔或者不设置空腔,空腔形状和位置相同，或是不同形状的组合。
3.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述第一调制电极(111)和所述第二调制电极(211)分段或同时调制第一调制光路(L1)和第二调制光路(L2)的输入光，所述第一调制电极(111)通过不同桥接电极桥接到第一调制子电极(113)和第一调制二子电极(114)；所述第二调制电极(211)通过不同桥接电极桥接到第二调制一子电极(211)和第二调制二子电极(214)；所述第一调制电极(111)和所述第二调制电极(211)分段调制第一调制光路(L1)和第二调制光路的输入光(L2)，调制后的输入光从所述第一调制光路(L1)和所述第二调制光路(L2)输出。
4.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述第一调制电极(111)通过单层或者多层桥接实现与第一调制一子电极(113)和第一调制二子电极(114)的连接；所述第二调制电极(211)通过单层或者多层桥接实现与第二调制
5.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述第一调制光路(L1)和第二调制光路(L2)的电光材料为铌酸锂、钛酸钡或锆钛酸铅；所述第一调制光路(L1)和第二调制光路(L2)为直波导光路或弯曲波导光路。
6.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述电极材料为金属或透明导电氧化物。
7.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述电光调制器还包括第一特征电阻(R1)和第二特征电阻(R2)；所述第一特征电阻(R1)和所述第二特征电阻(R2)串联在第一调制电极(111)和第二调制电极(211)之间。
8.一种集成光芯片，其特征在于，包括：
9.一种集成芯片，其特征在于，包括电芯片，以及如权利要求1-8任一项所述的光芯片；所述电芯片通过打线或者球焊的方式和光芯片连接。
10.一种光模块，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的光芯片。
11.一种光通信设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的集成芯片或者如权利要求10所述的光模块。
...【技术特征摘要】
1.一种电光调制器，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述基底(s1)设置若干空腔或者不设置空腔,空腔形状和位置相同，或是不同形状的组合。
3.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述第一调制电极(111)和所述第二调制电极(211)分段或同时调制第一调制光路(l1)和第二调制光路(l2)的输入光，所述第一调制电极(111)通过不同桥接电极桥接到第一调制子电极(113)和第一调制二子电极(114)；所述第二调制电极(211)通过不同桥接电极桥接到第二调制一子电极(211)和第二调制二子电极(214)；所述第一调制电极(111)和所述第二调制电极(211)分段调制第一调制光路(l1)和第二调制光路的输入光(l2)，调制后的输入光从所述第一调制光路(l1)和所述第二调制光路(l2)输出。
4.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于：所述第一调制电极(111)通过单层或者多层桥接实现与第一调制一子电极(113)和第一调制二子电极(114)的连接；所述第二调制电极(211)通过单层或者多层桥接实现与第二调制一子电...
【专利技术属性】
技术研发人员：王茹雪，武爱民，吴婷，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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