【技术实现步骤摘要】
应用于蓝光二极管的荧光粉专利技术所属
本专利技术系关于一种光学
具体而言，是 指可应用于蓝光二极管的荧光粉及以该荧光粉制作的蓝光二极管，此一新兴研究方向始于1997年，曰本 S.Nakamura发表了专题论文(请参照S.Nakamura. Blue laser. Springer Verlag， Berlin, 1997)，与此同时这篇论文 对于创造蓝、紫激光器以及蓝光二极管做出了具体贡献。先前技术历经十年工业发展，人们不仅具备了与创造蓝光 二极管相关联的研究方向，而且形成了与创造新型发 光材料相联系的材料学领域。已知专利(请参照Y. Schimizu.等人获颁的澳洲 AU 4065002号专利， 27.06.2002)中论述了 InGaN构造基础上的蓝光二极管， 其中指出已知Y3Ah〇I2:Ce基质荧光粉的必要性。只有 当蓝光发光二极管具有高色温T〉 8000k时，这种荧光 粉参照对象才能够与蓝光发光二极管形成组合装置。 为了修正这一缺点，研究人员提出在发光转换涂层组 成中加入第二种荧光粉，这种荧光粉源于在红色光谱 区域辐射的CaS: Eu。尽管...
【技术保护点】
一种荧光粉，其系用于ＩｎＧａＮ异质结涂层的金属氧化物及非金属氧化物基质中，其可被铈激化，其特征在于：该荧光粉为两种化合物的固溶体，其中第一种化合物具有化学计量公式（１－ｘ）（∑Ｌｎ）↓［３］Ａｌ↓［５］Ｏ↓［１２］，第二种化合物为ｘＭｅ↑［Ⅱ］３Ｍｅ↑［Ⅲ］↓［２］Ｓｉ↓［３］Ｏ↓［１２］，在此情况下所形成的固溶体具有立方晶系及Ｉａ３ｄ构造组，其中该第一种化合物及第二种化合物中Ｌｎ＝Ｙ及／或Ｇｄ及／或Ｌｕ及／或Ｃｅ及／或Ｙｂ及／或Ｐｒ及／或Ｓｍ，Ｍｅ↑［Ⅱ］＝Ｍｇ及／或Ｃａ及／或Ｓｒ及／或Ｂａ，Ｍｅ↑［Ⅲ］＝Ｉｎ及／或Ｇａ及／或Ｓｃ，其中０．０００１≤ｘ≤０．２。
【技术特征摘要】
1.一种荧光粉，其系用于InGaN异质结涂层的金属氧化物及非金属氧化物基质中，其可被铈激化，其特征在于该荧光粉为两种化合物的固溶体，其中第一种化合物具有化学计量公式(1-x)(∑Ln)3Al5O12，第二种化合物为xMeII3MeIII2Si3O12，在此情况下所形成的固溶体具有立方晶系及Ia3d构造组，其中该第一种化合物及第二种化合物中Ln＝Y及/或Gd及/或Lu及/或Ce及/或Yb及/或Pr及/或Sm，MeII＝Mg及/或Ca及/或Sr及/或Ba，MeIII＝In及/或Ga及/或Sc，其中0.0001≤x≤0.2。2. 如权利要求1所述的荧光粉，其中该第一种化合 物中x二0.001 0.15。3. 如权利要求2所述的荧光粉，其中当Me二Mg 时，其晶格参数为12.0A，当Me^Mg时，其晶格 参数为a〉 12.0A。4. 如权利要求1所述的荧光粉，其中该荧光粉可被 至少两种激化剂激化，该两种激化剂可源于Ln=Ce及/ 或Yb及/或Pr及/或Sm，该荧光粉可在500~700nm区 间辐射，其辐射光谱最大值位于520~590nm的光谱次 能带。5. 如权利要求1所述的荧光粉，其中该荧光粉与源 于InGaN的半导体异质结相组合，其中该异质结主要辐 射短波蓝光，其表面覆盖该均匀浓度的荧光粉涂层， 该荧光粉粉末均匀分布于该异质结表面所形成的聚合 涂层容积中。6. 如权利要求1所述的荧光粉，其中以下元素形成该荧光粉的阳离子晶格，这些元素源于组合2Li^Y及/ 或Gd及/或Lu，该荧光粉基质中这些元素浓度为[Y]^3y、 [Gd]二3z、 [Ln]二3p，在此情况下2 3y+3z+3p二3-x ，其中 0.6^y^0.79， 0.01^z^0.05。7. 如权利要求1所述的荧光粉，其进一步含有激化 剂，该激化剂源于Ce及/或Yb及/或Pr及/或Sm，其中该 激化剂含量如下0.005 ^ [Ce]^ 0.1、 0.0001 ^ [Yb] ^ 0.001、 0.0001 ^ [Pr〗^0.01及0.0001 ^ [Sm]^0.01，同时 可使辐射光谱最大值半波宽从112 125nm。8. 如权利要求7所述的荧光粉，其中该辐射光谱起 始于112nm的情况是组成中加入一对激化剂，该激 化剂源于Ce+Yb或Ce+Pr或Yb+Pr，辐射光谱起始于 125nm的情况为加入全部六种激化剂。9. 如权利要求1所述的荧光粉，其中当化学计量指 数x为0.005^x^0.01时，其发光色坐标值为S (x+y) ■ 0.86，当化学计量指数为0.01^x^0.05时...
【专利技术属性】
技术研发人员：索辛纳姆，罗维鸿，蔡绮睿，
申请(专利权)人：罗维鸿，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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