柱状电容及其形成方法技术

技术编号：42637271 阅读：18 留言：0更新日期：2024-09-06 01:35

本发明专利技术提供一种柱状电容及其形成方法，属于半导体器件制造技术领域。该柱状电容包括衬底、导电柱芯、柱面介质层、导电层和第一导电结构；其中，导电柱芯设置在所述衬底中，所述导电柱芯沿水平方向延伸；柱面介质层沿周向包覆所述导电柱芯表面，并使得所述导电柱芯的部分表面裸露；导电层设置在所述导电柱芯和所述衬底之间，所述导电层沿周向包覆在所述柱面介质层外围；第一导电结构与所述导电柱芯的裸露表面导电接触，并与所述导电层绝缘隔离。本发明专利技术提供的柱状电容易于在集成电路的三维空间中堆叠形成高容量及高稳定性的电容阵列。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造，具体涉及一种柱状电容及其形成方法。

技术介绍

1、在半导体领域，电容作为一种关键的电子元件，其对集成电路的性能有着直接影响。现有电容受限于自身结构、容量和形成工艺，难以在集成电路的有限的空间内形成高密度和高稳定性的电容阵列，无法适配需要高密度集成和大容量存储的集成电路。

2、因此，需要设计一种柱状电容及其形成方法，以解决上述问题。

技术实现思路

1、鉴于以上现有技术的缺点，本专利技术提供了一种柱状电容及其形成方法，以用于改善现有电容器件(如平面电容、深沟槽电容)难以在有限的空间内形成高密度和高稳定性的电容阵列的技术问题。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本专利技术提供了一种柱状电容，该柱状电容包括衬底、导电柱芯、柱面介质层、导电层和第一导电结构；

3、其中，导电柱芯设置在所述衬底中，所述导电柱芯沿水平方向延伸；柱面介质层沿周向包覆所述导电柱芯表面，并使得所述导电柱芯的部分表面裸露；导电层设置在所述导电柱芯和所述衬底之间，所...

【技术保护点】

1.一种柱状电容，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的柱状电容，其特征在于，所述衬底上具有沟槽，所述导电柱芯位于所述沟槽内，所述沟槽的两端具有台阶，所述导电柱芯的两端置于所述台阶上，所述导电柱芯的底部高度高于所述沟槽底壁。

3.根据权利要求1所述的柱状电容，其特征在于，所述第一导电结构设置在所述衬底上，所述衬底上具有通孔，所述通孔使所述导电柱芯端部的部分表面裸露，所述第一导电结构通过所述通孔与所述导电柱芯的裸露表面导电接触。

4.根据权利要求1所述的柱状电容，其特征在于，所述导电柱芯的材料为具有导电性的硅锗或碳化硅。