【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储领域，尤其涉及一种存储器及其制备方法。
技术介绍
1、相变存储器(phase change memory，pcm)的存储单元可包括上中下三层电极、相变存储层和选通层。其中，相变存储层和选通层包含多种元素的合金材料，在制备和工作中其相态变化丰富，同时伴随着元素与介质层之间的扩散等。这种扩散会导致严重的参数漂移甚至工作失效。因此需要增加保护层，减少和隔离这种扩散。
2、在现有技术中，保护层由化学气相沉积(chemical vapor deposition，cad)工艺制备的氮化硅(sin)膜层和由原子层沉积(atomic layer deposition，ald)工艺制备的氧化硅(sio)膜层组成。其中sio膜层可防止后续刻蚀和氧化工艺对sin膜层的损伤。但是从sin膜层制备完成到sio膜层制备开始期间，sin膜层表面会形成一层质量较差的自然氧化层。自然氧化在工艺控制中很难控制。随着存储单元的微缩发展，这种质量较差的自然氧化层在保护层中占有的比例越来越大，使得保护层对存储单元的相变存储层和选通层的保护作用减弱。p>
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【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一保护层包括：
3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一保护层还包括：
4.如权利要求1-3任一项所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
5.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一子保护层、所述氮化硅膜层及所述氮氧化硅膜层均采用原位反应制备而成。
7.如权利要求6所述的存储器的制备方法，其特征在于，对氮化硅膜层的表面进行氧化处理，将所述...
【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一保护层包括：
3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一保护层还包括：
4.如权利要求1-3任一项所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
5.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的存储器的制备方法，其特征在于，所述第一子保护层、所述氮化硅膜层及所述氮氧化硅膜层均采用原位反应制备而成。
7.如权利要求6所述的存储器的制备方法，其特征在于，对氮化硅膜层的表面进行氧化处理，将所述氮化硅膜层的至少部分氧化成含有氮元...
【专利技术属性】
技术研发人员：高国勤，明帆，汪前莉，赵烨，骆金龙，刘峻，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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