基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件、制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件、制备方法及应用；选取Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;基片和蓝宝石衬底，键合形成Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;基衬底；在衬底顶层Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;区域内设置深槽隔离区；刻蚀顶层Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;形成有源区沟槽，并形成有源区；光刻导电沟桥图形，溅射金属合金化形成导电沟桥；钝化处理，完成电磁调控器件的制备。本发明专利技术通过在相邻器件有源区之间引入导电沟桥取代金属实现器件单元的控制以及相邻器件间的电气连接，可有效提升器件及其系统的成像、隐身与集成性能。同时，Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;是宽禁带半导体使得电磁调控器件的微波特性、集成性能以及电磁调控能力大幅提升。本发明专利技术的电磁调控器件适用于自适应自由调控的多梯度相位调制全息成像系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料以及器件，具体涉及基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件，还涉及基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法及应用。

技术介绍

1、电磁调控器件是一类能够通过外加电场、磁场或电磁波等外界激励，实现其电磁性能(如电导率、介电常数、磁化率等)调控的器件。这些器件的设计和工作原理涉及到电磁理论、材料科学和器件工程等多个领域，在光电子学、通信、传感、信息存储、医学影像等领域具有重要应用，为实现功能性、智能化的电子器件和系统提供了重要的技术支持。然而目前电磁调控器件大多是基于金属超表面、多层复合结构等形式，器件结构金属制约严重，或是通过外围金属偏置线实现单元控制，不能实现电磁调控的自由控制、实时自适应。为了实现电磁调控的实时重构、摆脱金属对器件性能的影响，基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件展现出优越的性能、快速动态的可重构性、去金属化应用，实时调控电磁波并对信息进行感知与学习，在新型信息系统、生物学、工程等领域有着广泛的应用。

2、因此，选择何种结构及工艺来制作一种基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件以应用于新型全息成像系统就变得尤为重要本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，步骤1具体如下：

3.根据权利要求1所述的基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，步骤2具体如下：

4.根据权利要求2所述的基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，步骤3具体如下：

5.根据权利要求1所述的基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，步骤4具体如下：

6.根据权利要求5所述的基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，步骤1具体如下：

3.根据权利要求1所述的基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，步骤2具体如下：

4.根据权利要求2所述的基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，步骤3具体如下：

5.根据权利要求1所述的基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件制备方法，其特征在于，步骤4具体如下：

6.根据权利要求5所述的基于导电沟桥的去金属化电磁调控...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏汉，邵琛杰，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：