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本发明公开了基于导电沟桥的去金属化电磁调控器件、制备方法及应用；选取Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;基片和蓝宝石衬底，键合形成Ga<subgt;2</subgt;O&...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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