【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子器件,具体而言涉及一种功率模块。
技术介绍
1、现有技术中,常常是在基体设置芯片,形成一个桥臂,若要实现全桥功能,需要组装多个功率模块。这样会导致工艺复杂,而且产品结构不够紧凑,在应用中占用空间大。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、为至少部分地解决上述问题,本申请提供了一种功率模块,所述功率模块包括第一基板;
3、第二基板,所述第二基板与所述第一基板层叠间隔设置;
4、三个半桥结构,三个所述半桥结构设置在所述第一基板与所述第二基板之间,所述半桥结构包括:
5、第一金属层,所述第一金属层设置于所述第一基板,
6、第二金属层,所述第二金属层设置于所述第二基板,且所述第二金属层与所述第一金属层相对设置,<
...【技术保护点】
1.一种功率模块,其特征在于,所述功率模块包括:
2.根据权利要求1上述的功率模块,其特征在于,所述第一芯片的漏极与所述第一金属层电连接,所述第二芯片的漏极与所述第二金属层电连接。
3.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述半桥结构还包括高压交流端子,所述高压交流端子设置于所述第二金属层并与所述第二金属层导通。
4.根据权利要求3所述的功率模块,其特征在于,所述半桥结构还包括高压直流端子,所述高压直流端子设置于所述第一金属层并与所述第一金属层导通,所述高压直流端子包括正极端子和负极端子,所述正极端子与所述负极端子层叠设置。<
...【技术特征摘要】
1.一种功率模块,其特征在于,所述功率模块包括:
2.根据权利要求1上述的功率模块,其特征在于,所述第一芯片的漏极与所述第一金属层电连接,所述第二芯片的漏极与所述第二金属层电连接。
3.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述半桥结构还包括高压交流端子,所述高压交流端子设置于所述第二金属层并与所述第二金属层导通。
4.根据权利要求3所述的功率模块,其特征在于,所述半桥结构还包括高压直流端子,所述高压直流端子设置于所述第一金属层并与所述第一金属层导通,所述高压直流端子包括正极端子和负极端子,所述正极端子与所述负极端子层叠设置。
5.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一芯片与所述第二芯片在所述第一基板和所述第二基板的层叠方向上...
【专利技术属性】
技术研发人员:凌和平,翟震,丘国维,王颖,黄丹丹,
申请(专利权)人:比亚迪股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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