一种多稳态结构和电子器件制造技术

本申请涉及结构设计领域，公开了一种多稳态结构和电子器件，包括层叠的可相对移动的块体，每个块体上设置有至少两个孔；相邻块体之间的界面处存在范德华力，相邻块体之间呈结构超滑接触；孔包括通孔和/或盲孔；块体上的至少一个孔与相邻块体上的孔在开口方向上对齐时，多稳态结构处于稳态。块体上设置有至少两个孔，相邻块体之间界面上存在范德华力且为结构超滑接触状态，当相邻块体相对移动时，一个块体上的至少一个孔与另一个块体上的孔在开口方向上对齐，由于界面范德华力约束，块体可以稳定在该状态，不需要借助外部的物理场或者机构，降低结构复杂度。多稳态结构的行程最大可接近块体长度，相对行程增加。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及结构设计领域，特别是涉及一种多稳态结构和电子器件。

技术介绍

1、多稳态结构指具有至少两种稳态状态的结构，多稳态结构在存储、逻辑开关、能量采集器、谐振器等领域具有极大的应用潜力。

2、目前的多稳态结构在实现稳态时，需要借助附加的物理场或者部件进行辅助。例如，对于一个悬臂梁结构，悬臂梁只存在一个稳态，即初始平衡位置。在外加磁场、电场或者支撑部件的辅助下，悬臂梁可能存在2个平衡态，即向上或向下弯曲至一定位置，悬臂梁处于这两个位置时为平衡态。悬臂梁若要保持稳定在向上或者向下的平衡态，外力需要一直存在，否则悬臂梁将回到初始平衡位置。并且，由于悬臂梁的一端固定，向上、向下屈曲时的行程(振幅)有限。另外，由于需要借助附加的物理场或者部件，导致多稳态结构的结构复杂。

3、因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种多稳态结构和电子器件，以简化多稳态结构的结构复杂程度，增加行程。

2、为解决上述技术问题，本申请提供一种多稳态结本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多稳态结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的多稳态结构，其特征在于，相邻所述块体上的所述孔的尺寸相同。

3.如权利要求1所述的多稳态结构，其特征在于，每个所述块体上的所述孔的尺寸相同。

4.如权利要求3所述的多稳态结构，其特征在于，每个所述块体上相邻所述孔之间的距离等于或小于或大于所述孔的宽度。

5.如权利要求4所述的多稳态结构，其特征在于，所述块体的左侧留白区域的宽度与右侧留白区域的宽度相等；其中，所述左侧留白区域的宽度为所述块体的左侧边缘距离左侧第一个所述孔的距离；所述右侧留白区域的宽度为所述块体的右侧边缘距离右侧第一...

【技术特征摘要】

1.一种多稳态结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的多稳态结构，其特征在于，相邻所述块体上的所述孔的尺寸相同。

3.如权利要求1所述的多稳态结构，其特征在于，每个所述块体上的所述孔的尺寸相同。

4.如权利要求3所述的多稳态结构，其特征在于，每个所述块体上相邻所述孔之间的距离等于或小于或大于所述孔的宽度。

5.如权利要求4所述的多稳态结构，其特征在于，所述块体的左侧留白区域的宽度与右侧留白区域的宽度相等；其中，所述左侧留白区域的宽度为所述块体的左侧边缘距离左侧第一个所述孔的距离；所述右侧留白区域的宽度为所述块体的右侧边缘距离右侧第一个所述孔的距离。

6.如权利要求5所述的多稳态结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：向小健，吴章辉，黄轩宇，聂锦辉，郑泉水，
申请(专利权)人：深圳清华大学研究院，
类型：新型
国别省市：