【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件制造领域，具体而言，涉及一种反馈碳膜质量的工艺方法、其检测装置和碳膜质量的检测方法。
技术介绍
1、在碳化硅sic半导体器件制造过程中，在完成离子注入后，需要高温激活修复晶格损伤并同时激活掺杂离子，激活前需要在sic半导体器件表面制作一层碳膜，碳膜可有效的抑制sic半导体器件表面处硅si的升华和再沉积过程，避免sic表面形貌的退化。因此，碳膜质量对高温激活有着重要影响，在sic半导体器件制造过程中，对sic半导体器件表面碳膜质量的监控显得尤为重要。
2、在现有技术中，一般使用量测机台对金属膜或者介质膜的质量进行检测，但是，以上常规的膜层监测方式不能简单转用在碳膜质量的监测上，主要原因在于碳膜表面颗粒容易剥落，在量测机台中操作和测量时会污染量测机台，大大影响测量的准确度和机台性能，因此，需要在测量前后对量测机台进行清理并调试，不仅影响了生产的效率、还提高了器件的制作成本。因此，找到一种经济、快捷且准确的反馈碳膜质量的工艺方法显得尤为重要。
技术实现思路
1、本...
【技术保护点】
1.一种反馈碳膜质量的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括：
2.据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述参考膜层为一层参考膜层，或是多层不同颜色的参考膜层。
3.根据权利要求2所述的工艺方法，其特征在于，所述参考膜层为金属层或介质层。
4.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于，当所述参考膜层为金属层时，对该层所述参考膜层进行腐蚀的步骤包括：采用与所述金属层的种类对应的第一腐蚀液接触所述碳膜，以使所述第一腐蚀液透过所述碳膜对所述金属层进行腐蚀，所述第一腐蚀液包括以下至少之一：磷酸、硝酸和醋酸。
5.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种反馈碳膜质量的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括：
2.据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述参考膜层为一层参考膜层，或是多层不同颜色的参考膜层。
3.根据权利要求2所述的工艺方法，其特征在于，所述参考膜层为金属层或介质层。
4.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于，当所述参考膜层为金属层时，对该层所述参考膜层进行腐蚀的步骤包括：采用与所述金属层的种类对应的第一腐蚀液接触所述碳膜，以使所述第一腐蚀液透过所述碳膜对所述金属层进行腐蚀，所述第一腐蚀液包括以下至少之一：磷酸、硝酸和醋酸。
5.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于，当所述参考膜层为介质层时，对该层所述参考膜层进...
【专利技术属性】
技术研发人员：李辉斌，邱舜国，周天彪，钟泳生，陈铭杰，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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