制造电子器件的方法和电子器件技术

本公开涉及制造电子器件的方法和电子器件。该电子器件包括衬底。该方法包括：在衬底上形成伪栅，其中伪栅的顶表面上具有第一区域以及不同于该一区域的第二区域，并且其中第一区域含有氮化硅，第二区域含有氧化硅。该方法还包括：对伪栅的第二区域进行氮化而不对伪栅的第一区域进行氮化，从而仅在第二区域上方形成氮氧化硅保护层。根据上述方法，可以防止在制造电子器件期间形成牛角状的凸起，从而确保电子器件的成品率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：金兰，刘铁军，朱靖华，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：