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本公开涉及制造电子器件的方法和电子器件。该电子器件包括衬底。该方法包括：在衬底上形成伪栅，其中伪栅的顶表面上具有第一区域以及不同于该一区域的第二区域，并且其中第一区域含有氮化硅，第二区域含有氧化硅。该方法还包括：对伪栅的第二区域进行氮化而不...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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