【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及单芯片集成全桥及其制备方法。
技术介绍
1、在电力电子器件
，交流转直流一直是重要的应用领域，目前整流方式包括二极管整流、半桥整流和全桥整流。
2、全桥整流作为一种常用的整流方式，常应用于电力输送、工业控制等领域，传统的整流全桥是将四个二极管芯片封装到一个器件中，封装工艺流程复杂，封装本体大，造成器件功率密度的降低和成本的增加，随着功率半导体对功率密度和性价比的要求越来越高，提高整流全桥的功率密度越来越引起人们重视。
技术实现思路
1、本专利技术针对以上问题，提供了一种有效地提高整流全桥的功率密度的单芯片集成全桥及其制备方法。
2、本专利技术的技术方案是：
3、单芯片集成全桥及其制备方法，包括以下步骤：
4、步骤s100，在外延片上制备第一轻掺杂n区和第二轻掺杂n区；
5、在第一轻掺杂n区内部制备第一重掺杂n区、第一重掺杂p区；
6、在第二轻掺杂n区内部制备第二重掺杂n区、第二重掺杂
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【技术保护点】
1.单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，步骤S100包括：
3.根据权利要求1所述的单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，步骤S200包括：
4.根据权利要求1所述的单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，步骤S400包括：
5.根据权利要求1所述的单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，步骤S500包括：
6.单芯片集成全桥，通过权利要求1所述的单芯片集成全桥及其制备方法制备，其特征在于，包括从下而上依次设置的第二隔离层（...
【技术特征摘要】
1.单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，步骤s100包括：
3.根据权利要求1所述的单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，步骤s200包括：
4.根据权利要求1所述的单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，步骤s400包括：
5.根据权利要求1所述的单芯片集成全桥及其制备方法，其特征在于，步骤s500包括：
6.单芯片集成全桥，通过权利要求1所述的单芯片集成全桥及其制备方法制备，其特征在于，包括从下而上依次设置的第二隔离层（19）、外延片（1）...
【专利技术属性】
技术研发人员：代书雨，马倩倩，周理明，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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