【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种制作半导体装置的方法与半导体装置。
技术介绍
1、随着近年来随着太阳能电子、汽车电子以及高频化高功率密度化电源模组等电力电子技术快速发展，对电力电子设备的功率密度也提出了更高的要求。又因应电动车的兴起，晶体管元件的技术发展也随着往高电压大电流的高功率方向发展，其中大电流的晶体管元件除了将元件尺寸放大来实现之外，亦可经由导通阻抗(ron)的降低来达成。
技术实现思路
1、本揭露的一态样提供了一种制作半导体装置的方法，包含提供基板，基板为碳化硅基底，基板由下而上依序包含n型重掺杂基层、n型轻掺杂层、p型阱区域，以及n型重掺杂层。接着，使用图案化遮罩蚀刻基板，以形成至少一栅极沟槽以及由栅极沟槽所定义的通道区域，其中通道区域被图案化遮罩所覆盖。接着，对栅极沟槽进行离子注入，以在栅极沟槽的底面形成遮蔽注入层。对栅极沟槽进行氧化工艺，以形成栅极氧化物层，其中栅极沟槽的底面的氧化速率大于栅极沟槽的侧壁的氧化速率，以及形成栅极电极于栅极沟槽中。
2、在一些实施例中，离子注入所...
【技术保护点】
1.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中该离子注入所使用的离子包含磷、砷或氩。
3.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中还包含在对该至少一栅极沟槽进行该离子注入之后，移除该图案化遮罩。
4.根据权利要求3所述的制作半导体装置的方法，其中还包含在移除该图案化遮罩之后，进行退火。
5.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中蚀刻该基板，以形成该至少一栅极沟槽的步骤包含使该至少一栅极沟槽的侧壁具有倾斜角度。
6.根据权利要求1所述的制作半导...
【技术特征摘要】
1.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中该离子注入所使用的离子包含磷、砷或氩。
3.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中还包含在对该至少一栅极沟槽进行该离子注入之后，移除该图案化遮罩。
4.根据权利要求3所述的制作半导体装置的方法，其中还包含在移除该图案化遮罩之后，进行退火。
5.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中蚀刻该基板，以形成该至少一栅极沟槽的步骤包含使该至少一栅极沟槽的侧壁具有倾斜角度。
6.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中对该至少一栅极沟槽进行该离子注入的角度为垂直于该至少一栅极沟槽的底面。
7.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中对该至少一栅极沟槽进行该离子注入的角度为朝向该通道区域倾斜。
8.根据权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中使用该图案化遮罩蚀刻该基板终止在该n型轻掺杂层。
9.一种半导体装置，其特征在于，包含：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中还包含两遮蔽注入层，分别位于所述多个栅极氧化物层的底部，其中各该栅极电极的底部宽度等于或是小于各该遮蔽注入层的宽度。
11.根据权利要求10...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪嘉隆，萧逸楷，郭浩中，
申请(专利权)人：鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。