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一种制作半导体装置的方法，包含提供基板，基板为碳化硅基底，基板由下而上依序包含N型重掺杂基层、N型轻掺杂层、P型阱区域，以及N型重掺杂层。接着，使用图案化遮罩蚀刻基板，以形成栅极沟槽以及由栅极沟槽所定义的通道区域，其中通道区域被图案化遮罩所...
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