一种氧化镍/氧化镓异质PN结二极管及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种氧化镍/氧化镓异质PN结二极管及制备方法，制备方法包括：在氧化镓衬底的第一表面制备氧化镓漂移层；在氧化镓衬底的第二表面制备阴极金属层；在氧化镓漂移层的表面制备第一P型氧化镍层；在活性氧原子环境中对第一P型氧化镍层进行表面处理，形成位于第一P型氧化镍层至少部分表层的高掺杂浓度的第二P型氧化镍层；在第二P型氧化镍层的至少部分表面制备阳极金属层。本发明专利技术通过活性氧原子环境来调控氧化镍浓度，可显著降低二极管正向导通电阻；将角度可控光刻工艺与界面处理技术结合制备出具有渐变浓度的边缘区域作为终端结构，进一步缓解了阳极边缘电场集中效应，提高反向击穿电压，使器件的巴利加优值得到极大地提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，具体涉及一种氧化镍/氧化镓异质pn结二极管及制备方法。

技术介绍

1、氧化镓作为新一代宽禁带材料，相比于碳化硅和氮化镓具有更高的禁带宽度和理论击穿场强，在航空航天、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域具有巨大的应用潜力。低能耗、低成本、高频、大功率器件的开发是国际半导体领域发展的必然趋势。氧化镓的关键性技术突破，必然为传统产业加速向数字化、智能化、绿色化转型升级带来一股强劲的创新驱动力，来有望在新能源、工控、高压电网、数据中心、轨道交通、5g等领域加速渗透。

2、近几年研究者们研究引入p型氧化镍与氧化镓形成异质pn结二极管解决氧化镓双极结构缺失的难题，使得氧化镓性能得到提升。但是，氧化镍/氧化镓异质pn结二极管的界面处理技术和新型终端结构仍然比较缺乏，这限制了氧化镓性能的提升。因此开发氧化镍/氧化镓异质pn结二极管界面处理技术以及设计新型终端结构，进一步提升氧化镓器件性能成为目前亟待解决的问题。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化镍/氧化镓异质PN结二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质PN结二极管的制备方法，其特征在于，所述活性氧原子环境包括紫外臭氧环境或者氧气等离子体处理环境；

3.根据权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质PN结二极管的制备方法，其特征在于，步骤S4包括：

4.根据权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质PN结二极管的制备方法，其特征在于，步骤S4包括：

5.根据权利要求4所述的氧化镍/氧化镓异质PN结二极管的制备方法，其特征在于，步骤S5包括：

6.一种氧化镍/氧化镓异质PN结二极管...

【技术特征摘要】

1.一种氧化镍/氧化镓异质pn结二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质pn结二极管的制备方法，其特征在于，所述活性氧原子环境包括紫外臭氧环境或者氧气等离子体处理环境；

3.根据权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质pn结二极管的制备方法，其特征在于，步骤s4包括：

4.根据权利要求1所述的氧化镍/氧化镓异质pn结二极管的制备方法，其特征在于，步骤s4包括：

5.根据权利要求4所述的氧化镍/氧化镓异质pn结二极管的制备方法，其特征在于，步骤s5包括：

6.一种氧化镍/氧化镓异质pn结二极管，其特征在于，由权利要求1-5任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张春福，刘丁赫，张泽雨林，张进成，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：