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本发明涉及一种氧化镍/氧化镓异质PN结二极管及制备方法，制备方法包括：在氧化镓衬底的第一表面制备氧化镓漂移层；在氧化镓衬底的第二表面制备阴极金属层；在氧化镓漂移层的表面制备第一P型氧化镍层；在活性氧原子环境中对第一P型氧化镍层进行表面处理，...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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