一种亚波长金属光栅偏振器件结构及其晶圆级制造方法技术

本发明专利技术提供了一种亚波长金属光栅偏振器件结构及其晶圆级制造方法，包括：基底；第一介质层，沉积于基底顶端；第二介质层，沉积于第一介质层顶端；多个介质光栅层，沉积于第二介质层顶端并沿第二介质层的长度方向间隔设置，每相邻的两个介质光栅层之间分别形成沟槽，各介质光栅层和第二介质层的材质具有相同的折射率，各介质光栅层的光栅周期小于入射光的入射波长；多个第一金属层，分别沉积于各沟槽内；多个第二金属层，分别沉积于各介质光栅层顶端，各第二金属层和各第一金属层的材质具有相同的介电常数。有益效果是本发明专利技术能够在获得优良偏振性能的同时减小微纳加工工艺难度，并实现亚波长金属光栅偏振器件结构的大面积、高保真、高效率制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学器件制造的，具体而言，涉及一种亚波长金属光栅偏振器件结构及其晶圆级制造方法。

技术介绍

1、偏振成像技术通过将目标空间影像信息与表征其界面属性的偏振信息相结合，可以实现背景抑制、细节凸显和目标探测等功能，为提升复杂环境感知提供了解决途径，在军事侦察、工业检测、医疗诊断等军民领域具有广阔的应用前景。

2、传统偏振成像系统存在体积大、加工难、成本高等不足的问题，特别是复杂的分光元件限制了当前系统小型化、轻量化、低成本方向发展，而基于微纳制造工艺的亚波长金属光栅偏振器件结构以其对光场自由灵活调控的特点以及易集成、可定制、平面化和性能优良等优势，成为构建微小型乃至芯片级偏振成像系统的关键元件。

3、近年来，得益于电子束光刻、纳米压印等微纳加工技术的发展，面向偏振成像应用的亚波长金属光栅偏振器件被众多研究者进行大量实验研究，逐渐替代传统偏振器件，例如，2008年美国佐治亚理工学院y. b. chen等人[journal of heat transfer, 2008, 130(8): 1255-1264.]采用电子束光刻技术在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种亚波长金属光栅偏振器件结构，其特征在于，包括：

2.一种亚波长金属光栅偏振器件结构的晶圆级制造方法，其特征在于，应用于权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器件结构，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的亚波长金属光栅偏振器件结构的晶圆级制造方法，其特征在于，所述步骤S1中，选取的所述基底（1）的材质为玻璃、石英、硅、硫化锌、氟化钡、锗中的一种。

4.根据权利要求2所述的亚波长金属光栅偏振器件结构的晶圆级制造方法，其特征在于，所述步骤S2和所述步骤S6中，采用的所述材料沉积设备为电子束蒸发镀膜机或磁控溅射仪或原子层沉积设备。</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种亚波长金属光栅偏振器件结构，其特征在于，包括：

2.一种亚波长金属光栅偏振器件结构的晶圆级制造方法，其特征在于，应用于权利要求1所述的亚波长金属光栅偏振器件结构，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的亚波长金属光栅偏振器件结构的晶圆级制造方法，其特征在于，所述步骤s1中，选取的所述基底（1）的材质为玻璃、石英、硅、硫化锌、氟化钡、锗中的一种。

4.根据权利要求2所述的亚波长金属光栅偏振器件结构的晶圆级制造方法，其特征在于，所述步骤s2和所述步骤s6中，采用的所述材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞益挺，苑伟政，郝佳，周俊焯，曹佳，姚鑫玲，
申请(专利权)人：西北工业大学宁波研究院，
类型：发明
国别省市：