一种高亮度LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高亮度LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，外延层的四周成型有第一沟槽，中心区域成型有第二沟槽；第一沟槽延伸至衬底，第二沟槽延伸至N型GaN层内；P型GaN层上设置有ITO透明导电层，沿着第一沟槽、ITO透明导电层和第二沟槽的表面设置增反膜层，增反膜层上嵌设有Ag反射镜层；沿着增反膜层和Ag反射镜层的表面设置有第一钝化层，第一钝化层上设置有金属导电层，N型金属导电部与N型GaN层相接；P型金属导电部与Ag反射镜层相接。本发明专利技术通过设置第一沟槽，可以避免浪费外延层的发光面积，通过设置增反膜层，可以有效提高光的反射效率，从而有效提高LED芯片的亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种高亮度led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、目前，现有的led芯片一般采用ito透明导电层和ag反射镜层组成的复合膜层来提高光的反射率，进而提高led芯片的亮度。但是，ito透明导电层不可避免地会吸收一部分光；ag反射镜层又无法覆盖所有的反射面，如mesa侧壁、iso侧壁等，不能将所有光反射至led芯片的出光面射出；光从量子阱层发出并经过不同膜层时会产生不同程度的全反射效应，也会导致光无法全部从led芯片的出光面发出……这些因素的存在，导致了现有的led芯片出光效率低，进而削弱了led芯片的亮度。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种高亮度led芯片及其制备方法，通过在外延层的四周设置延伸至衬底的第一沟槽，可以避免浪费外延层的发光面积，通过在第一沟槽、ito透明导电层和第二沟槽的表面设置增反膜层，可以有效提高光的反射效率，从而有效提高led芯片的亮度。

2、本专利技术提供了一种高亮度led芯片，包括衬底和设置在所述衬底上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高亮度LED芯片，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的外延层，所述外延层的四周成型有第一沟槽，所述外延层的中心区域成型有第二沟槽；所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，所述第一沟槽从所述P型GaN层延伸至所述衬底，所述第二沟槽从所述P型GaN层延伸至所述N型GaN层内；

2.如权利要求1所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述第一沟槽露出的衬底区域为ISO台面，所述第一沟槽露出的外延层区域为ISO侧壁；所述第二沟槽露出的N型GaN层区域为MESA台面，所述第二沟槽露出的外延层区域为MESA侧壁；

3.如权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种高亮度led芯片，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的外延层，所述外延层的四周成型有第一沟槽，所述外延层的中心区域成型有第二沟槽；所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的n型gan层、量子阱层和p型gan层，所述第一沟槽从所述p型gan层延伸至所述衬底，所述第二沟槽从所述p型gan层延伸至所述n型gan层内；

2.如权利要求1所述的高亮度led芯片，其特征在于，所述第一沟槽露出的衬底区域为iso台面，所述第一沟槽露出的外延层区域为iso侧壁；所述第二沟槽露出的n型gan层区域为mesa台面，所述第二沟槽露出的外延层区域为mesa侧壁；

3.如权利要求1所述的高亮度led芯片，其特征在于，所述增反膜层由sio2单层、ti3o5单层、sio2-ti3o5叠层中的一种或多种组成；所述增反膜层的厚度为4000埃*n，n为自然数，n大于0。

4.如权利要求1所述的高亮度led芯片，其特征在于，所述ag反射镜层包括ag底层和设置在所述ag底层上的表层，所述ag底层与所述ito透明导电层、以及所述增反膜层相接，所述ag底层的厚度范围为1000埃...

【专利技术属性】
技术研发人员：范凯平，卢淑欣，陈慧秋，张春慧，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：