具有装置隔离层的半导体装置制造方法及图纸

技术编号：42616007 阅读：18 留言：0更新日期：2024-09-03 18:21

一种半导体装置包括：装置隔离层，其在第一水平方向上延伸并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上彼此间隔开；有源区，其在装置隔离层之间并且在第一水平方向上彼此间隔开；绝缘结构，其在有源区之间；以及栅极结构，其在第一水平方向和第二水平方向之间的第三水平方向上延伸并且与有源区相交，其中，每个有源区的彼此相邻的两个侧表面限定锐角，并且其中，绝缘结构中的至少一个的至少一部分在有源区中的相应的一对有源区之间以及在装置隔离层中的相应的一对装置隔离层之间，并且在第一水平方向上与有源区中的相应的一对有源区重叠。

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【技术实现步骤摘要】

本公开的示例实施例涉及具有装置隔离层的半导体装置。

技术介绍

1、随着对半导体装置的高性能、高速度和/或多功能性的需求的增加，半导体装置的集成密度已经增加。在响应于半导体装置的高集成度的趋势而制造具有精细图案的半导体装置时，可能需要实现具有精细宽度或精细间隔距离的图案。

技术实现思路

1、本公开的一些示例实施例提供了包括装置隔离层和限定有源区的绝缘结构的半导体装置。

2、根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：多个装置隔离层，其在第一水平方向上延伸并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上彼此间隔开；多个有源区，其在多个装置隔离层之间并且在第一水平方向上彼此间隔开；多个绝缘结构，其在多个有源区之间；以及栅极结构，其在第一水平方向和第二水平方向之间的第三水平方向上延伸并且与多个有源区相交，其中，多个有源区中的每一个的两个相邻侧表面形成锐角，并且其中，多个绝缘结构中的至少一个的至少一部分在多个有源区中的相应的一对有源区之间以及在多个装置隔离层中的相应的一对装置隔离层之间，并且在第一水平方向上与多个有源区中的相应的一对有源区重叠。

3、根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：多个装置隔离层，其在第一水平方向上延伸并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上彼此间隔开；多个有源区，其在多个装置隔离层之间并且在第一水平方向上彼此间隔开；多个绝缘结构，其在多个有源区之间；以及栅极结构，其在第一水平方向和第二水平方向之间的第三水平方向上延伸并且与多个有源区相交，其中，多

4、根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：在第一水平方向上延伸并且在第一水平方向上彼此隔开的第一有源区和第二有源区；在与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开的第一装置隔离层和第二装置隔离层，第一装置隔离层与第二装置隔离层在第一水平方向延伸，第一有源区和第二有源区介于第一装置隔离层和第二装置隔离层之间；绝缘结构，其在所述第一有源区和所述第二有源区之间并且与所述第一有源区和所述第二有源区接触；栅极结构，其在所述第一水平方向和所述第二水平方向之间的第三水平方向上延伸并且与所述第一有源区相交；以及位线结构，其与第一有源区相交并在与第三水平方向正交的第四水平方向上延伸，其中，第一有源区的与绝缘结构接触的侧表面是朝向第一有源区的中心部分凹陷的弯曲表面，并且其中，绝缘结构的至少一部分在第一有源区和第二有源区之间以及在第一装置隔离层和第二装置隔离层之间，并且在第一水平方向上与第一有源区重叠。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在平面图中，所述多个绝缘结构具有圆形形状。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个绝缘结构中的至少一个绝缘结构的一部分在所述第一水平方向上与所述多个装置隔离层中的一个或多个装置隔离层重叠。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第二水平方向上，所述多个绝缘结构的最大水平宽度大于所述多个有源区的水平宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个绝缘结构被配置为单层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个装置隔离层包括在所述第二水平方向上交替的多个第一装置隔离层和多个第二装置隔离层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述多个第一装置隔离层的沿所述第一水平方向的端部与所述多个第二装置隔离层的沿所述第一水平方向的端部成之字形图案。