【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，具体涉及一种碳化硅复合基板结构。
技术介绍
1、碳化硅是一种天然超晶格，又是一种典型的同质多型体。由于硅与碳双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构，目前已知有着超过200种同质多型族，具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
2、高纯碳化硅具有高的电阻率，属于绝缘体。但是碳化硅的纯度不可能达到100％，当有铁离子等杂质或游离态硅纯在时，碳化硅就可以导电了，其电阻会随电场的增加而降低，从而漏电流增大，影响器件性能。
3、碳化硅表面绝缘主要靠镀一层绝缘膜来实现，现阶段主要靠炉管生产一层氧化硅来隔离，但炉管生长氧化硅过程中气流和温度控制等技术仍不完美，且成本高耗时长，另外等离子增强型化学气相淀积的氧化硅和碳化硅衬底在300℃以上高温下会脱膜，造成严重可靠性问题。
4、因此，亟需提出一种碳化硅复合基板结构。
技术实现思路
1、针对上述现有技术的缺点或不足，本申请...
【技术保护点】
1.一种碳化硅复合基板结构，其特征在于，包括：碳化硅基板、黏附层结构、隔离绝缘层结构和表面电路结构，所述黏附层结构设置于所述碳化硅基板的表面，所述隔离绝缘层结构设置于所述黏附层结构与所述表面电路结构之间；所述黏附层结构包括至少一层结构。
2.根据权利要求1所述的碳化硅复合基板结构，其特征在于，所述黏附层结构的热膨胀系数与所述碳化硅基板的热膨胀系数相同。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅复合基板结构，其特征在于，所述黏附层结构采用金属材料制成。
4.根据权利要求3所述的碳化硅复合基板结构，其特征在于，所述金属材料包括：钛、铝或镍。<...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅复合基板结构，其特征在于，包括：碳化硅基板、黏附层结构、隔离绝缘层结构和表面电路结构，所述黏附层结构设置于所述碳化硅基板的表面，所述隔离绝缘层结构设置于所述黏附层结构与所述表面电路结构之间；所述黏附层结构包括至少一层结构。
2.根据权利要求1所述的碳化硅复合基板结构，其特征在于，所述黏附层结构的热膨胀系数与所述碳化硅基板的热膨胀系数相同。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅复合基板结构，其特征在于，所述黏附层结构采用金属材料制成。
4.根据权利要求3所述的碳化硅复...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏，
申请(专利权)人：矽安光电科技南通有限公司，
类型：新型
国别省市：
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