一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，涉及硅湿法腐蚀制作反射镜技术领域；包括如下步骤：S1：采用偏(100)面9.74度切割抛光的硅晶圆作为加工原件；炉管生长一层掩膜层；S2：加工硅晶圆正面，采用光刻和干法刻蚀的方法，将需要打开的掩膜层的窗口设计一个矩形窗口；然后再用KOH腐蚀液在掩膜层打开的窗口处向下腐蚀硅，形成两个(111)面。本发明专利技术的技术方案，结合了硅微机电技术(MEMS技术)和简易的芯片加工技术，降低了技术难度和成本，提高了器件的性能，可靠性；硅基材料的芯片上制作的反射镜，它具有尺寸小，产出率高，成本低、重复性好、耐用性强、热学性能稳定等的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅湿法腐蚀制作反射镜，尤其涉及一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺。

技术介绍

1、45度反射镜在光学系统中广泛应用，起到光路90度转换的作用，即入射光和反射光形成90度夹角。在微系统中，要求反射镜到达毫米或者小于一毫米的尺度，传统的玻璃切割和抛光难度非常大，成本高昂。

2、硅湿法腐蚀反射镜目前通常采(100)晶面硅片,利用(100)面与(111)面腐蚀高选择比，腐蚀后(100)面与(111)面形成54.74度夹角。工艺成熟稳定。但是该方法不能形成45度夹角。部分方案提出了利用(100)面倾斜9.74度的方法，可以通过腐蚀方法得到(111)面反射面，此反射面与硅晶圆抛光面形成45度角。但是此方法对腐蚀工艺要求苛刻，由于晶体缺陷，掩模层等原因容易引起(111)反射面的条纹，腐蚀坑点等缺陷。

3、因此，亟需一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，来解决腐蚀面条纹造成的45度硅反射镜品质问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，所述S1中，硅晶圆选择500微米厚度的硅晶圆。

3.根据权利要求2所述的一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，所述S1中，掩膜层选择二氧化硅或氮化硅薄膜，或者二氧化硅和氮化硅的双层薄膜。

4.根据权利要求3所述的一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，所述S2中，KOH腐蚀液采用30％浓度的KOH的水溶液。

5.根据权利要求4所述的一种基...

【技术特征摘要】

1.一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，所述s1中，硅晶圆选择500微米厚度的硅晶圆。

3.根据权利要求2所述的一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，所述s1中，掩膜层选择二氧化硅或氮化硅薄膜，或者二氧化硅和氮化硅的双层薄膜。

4.根据权利要求3所述的一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，所述s2中，koh腐蚀液采用30％浓度的koh的水溶液。

5.根据权利要求4所述的一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，所述s2中，腐蚀温度控制在80℃，腐蚀速率控制在40um/h。

6.根据权利要求5所述的一种基于芯片加工技术的45度硅反射镜的加工工艺，其特征在于，所述s5中，在抛光面蒸镀0.2微米厚的金薄膜。...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建卫，
申请(专利权)人：矽安光电科技南通有限公司，
类型：发明
国别省市：