【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别地涉及一种功率器件及其制造方法。
技术介绍
1、以氮化镓(gan)材料为代表之一的第三代半导体(即宽禁带半导体材料)具有禁带宽度大、电子迁移率高、电子饱和速度大、临界击穿电场高、抗辐射、耐高温、和化学稳定性好等诸多优点，已经引起了越来越多的关注。
2、蓝宝石衬底是gan生长的衬底材料，价格适中，制造技术比较成熟。蓝宝石与gan之间的晶格失配问题已经被过渡层生长技术所克服。机械加工性能差问题已经被激光切割和去应力研磨技术克服。目前蓝宝石衬底应用最大的问题就是导热性不佳。
3、例如，蓝宝石衬底的gan基led产品中，由于蓝宝石衬底的硬度很高，为了激光切分方便会将蓝宝石衬底减薄到100μm左右，但是仍需要通过倒装芯片的方式避免主要通过蓝宝石衬底导热，从而在正常功率为1-3w下保证结温不超过125℃。然而，对于功率器件而言，功率相比于led产品增加了几十至上百倍，而结温通常也需要控制在200℃以下。因此，蓝宝石衬底的散热问题在应用于功率器件时尤为突出。导热性问题极大限制了蓝宝石衬底在功率器件中的...
【技术保护点】
1.一种功率器件，包括：
2.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述的功能层包括HEMT。
3.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述功率芯片为GaN芯片。
4.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述蓝宝石衬底的厚度小于大约80μm；或者小于大约50μm。
5.根据权利要求1所述的功率器件，其中所述封装体为DFN封装或者TO-247封装。
6.根据权利要求1所述的功率器件，其中在稳态工作情况下，单位时间内所述功能层产生的热量超过85％，或90％，或95％的部分经由所述蓝宝石衬底传递到所述封装体中。
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