【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片，具体而言，涉及一种电压降处理方法、装置、电子设备和存储介质。
技术介绍
1、随着芯片工艺尺寸进入到深亚微米级、纳米级的工艺节点，芯片的设计难度也达到一个全新的高度，对芯片设计的方法、生产所需的工具、芯片的性能等也提出了更高的要求。在芯片整个设计流程中，从架构到封装等一系列过程均会围绕性能(performance)、功耗(power)、面积(area)等诸多方面进行综合考量。芯片设计人员在进行芯片设计时，需要在上述三者之间找到最佳的平衡点，以满足特定应用需求和市场要求。需要针对不同场景进行设计优化，如在移动设备上注重功耗和性能的平衡，而在数据中心则更关注性能和面积的平衡。
2、随着便携式设备的大量出现，低功耗设计也应运而生，功耗影响的不仅是设备的超长待机时间、能源的消耗，还影响着电压降(ir drop)。电压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象。在芯片设计领域中，由于工艺的不断演进，金属互连线的宽度越来越窄、电阻值越来越大、供电电压越来越小，电压降的效应也愈专利技术显。因此，如何解决...
【技术保护点】
1.一种电压降处理方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的电压降处理方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的电压降处理方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的电压降处理方法，其特征在于，所述约束参数包括数据流走向信息和电源接点的位置信息；
5.根据权利要求1所述的电压降处理方法，其特征在于，所述基于布局后的版图进行第一次电压降测试得到第一测试结果的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的电压降处理方法，其特征在于，所述模块包括电源关断器件；
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【技术特征摘要】
1.一种电压降处理方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的电压降处理方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的电压降处理方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的电压降处理方法，其特征在于，所述约束参数包括数据流走向信息和电源接点的位置信息；
5.根据权利要求1所述的电压降处理方法，其特征在于，所述基于布局后的版图进行第一次电压降测试得到第一测试结果的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的电压降处理方法，其特征在于，所述模块包括电源关断器件；
7.根据权利要求6所述的电压降处理方法，其特征在于，所述布局各所述电源关断器件与各所述电路区域之间的电源连接关系，并布局不同电源关断器件之间的逻辑连接关系的步骤，包括：
8.根据权利要求1-7任意一项所述的电压降处理方法，其特征在于，所述返回所述布图规划阶段和所述预布局阶段以执行至少一次迭代的步骤，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：厦门电科星拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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