实时、非侵入式IEDF等离子体传感器制造技术

用于等离子体产生系统的控制器包括模型评估模块，该模型评估模块接收依照由RF发电机控制的等离子体的状态而变化的感测值。模型评估模块生成依照该感测值而变化的等离子体参数。模型集成模块接收等离子体参数，集成该等离子体参数，并且输出集成模型参数。IEDF评估模块接收集成模型参数，并且依照集成模型参数来生成离子能量分布函数(IEDF)。IEDF控制器模块接收IEDF，并且生成用于控制RF产生器的信号。RF产生器控制模块接收该信号，并且生成RF产生器控制信号，以控制该RF发电机的功率、频率和相位中的至少一个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及rf产生器系统和rf产生器的控制。

技术介绍

1、在半导体制造中经常使用等离子体制造。在等离子体制造中，离子被电场加速以从基板的表面蚀刻材料或将材料沉积到基板的表面上。在一种基本实施方式中，基于由功率输送系统的相应的射频(rf)或直流(dc)产生器产生的rf或dc功率信号产生电场。必须精确控制由产生器产生的功率信号以有效地执行等离子体蚀刻。

2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景。在本背景部分中描述范围内的目前命名的专利技术人的工作以及在申请时可能不符合现有技术的条件的描述的各方面既不明确地，也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。

技术实现思路

1、一台或多台计算机的系统可以被配置为通过在系统上安装软件、固件、硬件或它们的组合来执行特定操作或动作，软件、固件、硬件或它们的组合在操作中使系统执行动作。一个或多个计算机程序可以被配置为通过包括指令来执行特定操作或动作，当由数据处理装置执行时，指令使装置执行动作。

2、一个一般方面包括用于等离子体产生系统的控制器。控制器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于等离子体产生系统的控制器，包括：

2.根据权利要求1所述的控制器，包括：

3.根据权利要求1所述的控制器，其中，

4.根据权利要求1所述的控制器，其中，

5.根据权利要求1所述的控制器，其中，

6.根据权利要求5所述的控制器，其中，

7.根据权利要求1所述的控制器，其中，

8.根据权利要求1所述的控制器，其中，

9.根据权利要求1所述的控制器，其中，

10.根据权利要求9所述的控制器，其中，

11.根据权利要求10所述的控制器，其中，p>

12.一种...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于等离子体产生系统的控制器，包括：

2.根据权利要求1所述的控制器，包括：

3.根据权利要求1所述的控制器，其中，

4.根据权利要求1所述的控制器，其中，

5.根据权利要求1所述的控制器，其中，

6.根据权利要求5所述的控制器，其中，

7.根据权利要求1所述的控制器，其中，

8.根据权利要求1所述的控制器，其中，

9.根据权利要求1所述的控制器，其中，

10.根据权利要求9所述的控制器，其中，

11.根据权利要求10所述的控制器，其中，

12.一种rf发电系统，包括：

13.根据权利要求12所述的rf发电系统，其中，

14.根据权利要求12所述的rf发电系统，包括：

15.根据权利要求14所述的rf发电系统，其中，

16.根据权利要求14所述的rf发电系统，进一步包括：

17.根据权利要求16所述的rf发电系统，其中，

18.根据权利要求14所述的rf发电系统，其中，

19.根据权利要求12所述的rf发电系统，包括：

20.根据权利要求12所述的rf发电系统，其中，

21.根据权利要求12所述的rf发电系统，其中，

22.根据权利要求12所述的rf发电系统，其中，

23.根据权利要求12所述的rf发电系统，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：林内尔·马丁尼兹，大卫·米勒，埃尔德里奇·芒特四世，彼得·保罗，亚伦·瑞多姆斯基，
申请(专利权)人：MKS仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：