一种基于MOS2的氮掺杂碳布及其制备方法、应用技术

本发明专利技术公开了一种基于MOS<subgt;2</subgt;的氮掺杂碳布及其制备方法、应用，属于超级电容器材料领域。一种基于MoS<subgt;2</subgt;的氮掺杂碳布的制备方法，包括：将碳布放置在真空环境中，H<subgt;2</subgt;和N<subgt;2</subgt;作为气源，通过等离子处理获得掺氮碳布；四水钼酸六铵和硫脲溶解在去离子水中搅拌，加入所述的掺氮碳布，进行超声处理；再将掺氮碳布放入反应釜中加热反应，进行清洗、干燥。通过本发明专利技术制得的MoS<subgt;2</subgt;/NCC，能够应用于组装的水对称超级电容器，具有优异的能量密度以及循环稳定性，为高性能全固态柔性超级电容器的制备提供了一个新的前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及超级电容器材料领域，具体涉及一种基于mos2的氮掺杂碳布。

技术介绍

1、碳布(cc)作为一种廉价、易于使用的纺织品，正变得越来越受欢迎。已有的多个文献提及碳布在制造超级电容器中的应用。然而，所制得的碳布的电化学性能仍有改进的空间。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本专利技术提出了一种基于mos2的氮掺杂碳布及其制备方法、应用。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：

3、本专利技术的第一方面，涉及一种基于mos2的氮掺杂碳布的制备方法，包括：

4、将碳布放置在真空环境中，h2和n2作为气源，通过等离子处理获得掺氮碳布；

5、四水钼酸六铵和硫脲溶解在去离子水中搅拌，加入所述的掺氮碳布，进行超声处理；

6、再将掺氮碳布放入反应釜中加热反应，进行清洗、干燥。

7、可选地，所述反应釜中反应温度设置为220摄氏度。

8、可选地，所述的通过等离子处理包括以下步骤：

9、将碳布放置在释放舱中，形成真本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于MoS2的氮掺杂碳布的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于MoS2的氮掺杂碳布的制备方法，其特征在于，所述反应釜中反应温度设置为220摄氏度。

3.根据权利要求1所述的基于MoS2的氮掺杂碳布的制备方法，其特征在于，所述的通过等离子处理包括以下步骤：

4.根据权利要求2所述的基于MoS2的氮掺杂碳布的制备方法，其特征在于，所述H2和N2释放的流量大小之比为2:1。

5.根据权利要求2所述的基于MoS2的氮掺杂碳布的制备方法，其特征在于，所述释放舱为缠绕耦合线圈的石英玻璃管。

6.通过权利要求1～...

【技术特征摘要】

1.一种基于mos2的氮掺杂碳布的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于mos2的氮掺杂碳布的制备方法，其特征在于，所述反应釜中反应温度设置为220摄氏度。

3.根据权利要求1所述的基于mos2的氮掺杂碳布的制备方法，其特征在于，所述的通过等离子处理包括以下步骤：

4.根据权利要求2所述的基于mo...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奇，皮小虎，钟俊波，陈久福，
申请(专利权)人：四川轻化工大学，
类型：发明
国别省市：