一种无划线钙钛矿太阳电池单元、组件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种无划线钙钛矿太阳电池单元，其透明基底分为前后布置的第一区域和第二区域；其中，第一区域设置导电层，导电层的前侧边部设置第一栅线，第二栅线垂直连接于第一栅线并沿其长度方向均匀间隔设置；第二区域的后侧边部设置与第一栅线平行的第三栅线；在第一栅线、第二栅线和第三栅线上分别涂覆绝缘层，并利用绝缘层将第一栅线、第二栅线和第三栅线围合形成沉积槽，沉积槽中依次设置电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属背电极。本发明专利技术提供的无划线工艺的钙钛矿太阳电池单元，可有效提升钙钛矿太阳电池的有效利用面积，大幅优化太阳电池生产的良品率，并具有可灵活拼接成模组的特性，适合推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池，具体涉及一种无划线钙钛矿太阳电池单元、组件及其制备方法。

技术介绍

1、钙钛矿型太阳能电池是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池，小面积钙钛矿型太阳能电池（约1cm2）的光电转换效率已从2009年的3.8%提升到了目前的26.14%。简单的制备工艺和较低的生产成本使其具有较大的潜力被商业化应用；近年来，低成本和高效率的新型大面积钙钛矿太阳能电池成为目前主要的研究方向。

2、然而，钙钛矿型太阳电池的商业化生产仍然存在着很多阻碍，主要包括：1）目前最常见的钙钛矿太阳电池组件需要经过p1、p2、p3、p4划线方可制成，涉及的过程繁琐、装备昂贵且成品率低；2）传统的串联结构大面积钙钛矿太阳能电池的有效利用面积只有60~70%，严重影响了太阳电池的工作效率；3）当前主流的钙钛矿太阳能组件均由一片超大面积的钙钛矿太阳电池制备而成，一旦整块组件任何一处出现损坏，将导致该组件彻底损坏，无法维修。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于针对现有太阳电池组件制备过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无划线钙钛矿太阳电池单元，它包括透明基底和导电层，其特征在于，所述透明基底分为前后布置的第一区域和第二区域；其中，第一区域设置导电层，导电层上设置第一栅线和若干第二栅线，所述第一栅线布置在导电层的前侧边部，且左右通长布置；第二栅线垂直连接于第一栅线并沿其长度方向均匀间隔设置；

2.根据权利要求1所述的无划线钙钛矿太阳电池单元，其特征在于，所述第一栅线、第二栅线、第三栅线的厚度为5~10μm。

3.根据权利要求1所述的无划线钙钛矿太阳电池单元，其特征在于，所述第一栅线的宽度为1~3mm；第二栅线的宽度为100~300μm；第三栅线的宽度为1~3mm。

...

【技术特征摘要】

1.一种无划线钙钛矿太阳电池单元，它包括透明基底和导电层，其特征在于，所述透明基底分为前后布置的第一区域和第二区域；其中，第一区域设置导电层，导电层上设置第一栅线和若干第二栅线，所述第一栅线布置在导电层的前侧边部，且左右通长布置；第二栅线垂直连接于第一栅线并沿其长度方向均匀间隔设置；

2.根据权利要求1所述的无划线钙钛矿太阳电池单元，其特征在于，所述第一栅线、第二栅线、第三栅线的厚度为5~10μm。

3.根据权利要求1所述的无划线钙钛矿太阳电池单元，其特征在于，所述第一栅线的宽度为1~3mm；第二栅线的宽度为100~300μm；第三栅线的宽度为1~3mm。

4.根据权利要求1所述的无划线钙钛矿太阳电池单元，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10~50nm；钙钛矿活性层的厚度为400~600nm；空穴传输层的厚度为600~800nm。

5.权利要求1所述无划线钙钛矿太阳电池单元的制备方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭勇，赵鑫，朱明威，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：