【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率半导体器件封装，更具体地，涉及一种埋入式功率模块的微通道液冷一体化集成封装结构。
技术介绍
1、随着功率芯片技术的发展和应用领域的不断扩大，新一代以碳化硅为代表的宽禁带功率半导体器件以其远超传统硅器件的优越性能得到了越来越多的关注，但其高频、高温等特性也对封装提出了更高的要求。传统基于键合线和基板的封装结构具有较大的尺寸和固有寄生电感，且散热路径单一，已无法满足宽禁带功率半导体器件的应用需求，因此亟需开发小尺寸、低寄生电感、高散热效率的新型封装技术。
2、基板埋入式封装将功率器件裸芯片埋入有机电介材料中，采用再布线层代替键合线，克服了传统封装的劣势，具有低寄生参数、双面厚铜、小型轻量等优点，成为了一种极具潜力的解决方案。然而，近年来功率模块不断向大功率、高集成度发展，功率器件的热流密度不断增加，而有机电介材料一般热传导性较差，限制了埋入式功率模块功率密度的进一步提高，高效冷却已经成为埋入式封装在大功率领域应用中面临的迫切问题。集成散热方案能够更有效地将热量从功率芯片传导到外部环境中，为实现更加紧凑、高效的埋...
【技术保护点】
1.一种埋入式功率模块的微通道液冷一体化集成封装结构，其特征在于，包括由上至下布置的以下结构：
2.根据权利要求1所述的微通道液冷一体化集成封装结构，其特征在于，所述一体化微通道散热层中的冷却液流通通道，是以刻蚀或线切割方式对散热基板单侧表面加工而成；微通道段至少包括一组微流道，微流道的结构形式是平行沟槽、回型沟槽、交错布置的折返沟槽，或者是间隔排布的翅片或微肋。
3.根据权利要求1所述的微通道液冷一体化集成封装结构，其特征在于，所述绝缘电介质层，是利用真空层压工艺将第一金属互连层、功率芯片和金属嵌体埋入于绝缘电介质之中而形成；金属盲孔是通过激...
【技术特征摘要】
1.一种埋入式功率模块的微通道液冷一体化集成封装结构，其特征在于，包括由上至下布置的以下结构：
2.根据权利要求1所述的微通道液冷一体化集成封装结构，其特征在于，所述一体化微通道散热层中的冷却液流通通道，是以刻蚀或线切割方式对散热基板单侧表面加工而成；微通道段至少包括一组微流道，微流道的结构形式是平行沟槽、回型沟槽、交错布置的折返沟槽，或者是间隔排布的翅片或微肋。
3.根据权利要求1所述的微通道液冷一体化集成封装结构，其特征在于，所述绝缘电介质层，是利用真空层压工艺将第一金属互连层、功率芯片和金属嵌体埋入于绝缘电介质之中而形成；金属盲孔是通过激光打孔和电镀填充工艺形成，用于将功率芯片和金属嵌体连接至第二金属互连层。
4.根据权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙欣楠，陈敏，李杰，杜一飞，江峰，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：
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