【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种晶体硅太阳电池。
技术介绍
目前，制约太阳电池广泛应用的两个关键问题是1、光电转换效率；2、成本。晶体 硅太阳电池因其成本低、便于大规模生产等优点而普遍受到人们的重视并得到迅速发展。 晶体硅太阳电池的现有技术是通过在晶体硅太阳电池表面沉积一层氮化硅减薄膜来降低 太阳电池板上的光反射率以提高晶体硅太阳电池的光电转换效率， 一般做法是采用PECVD 技术在晶体硅太阳电池的受光面上沉积一层减反射薄膜，即氮化硅薄膜，从而达到提高光 电转换效率的目的。这种结构虽然在一定程度上降低了晶体硅太阳电池的光反射率，但是现有技术生产的晶体硅太阳电池的光反射率仍然比较高，不利于光电转换效率的提高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是，提供一种进一步降低光反射率以提高光电转换效率 的晶体硅太阳电池。本技术的技术方案是，提供一种晶体硅太阳电池，它包括一层氮化硅薄膜，它还 包括一层不同折射率、不同厚度非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜层的一表面与太阳电池的受 光面贴合，所述非晶硅薄膜层的另一表面与所述氮化硅薄膜层的表面贴合。采用以上结构后，本技术与现有技术相比，具有以下优点-本技术晶体硅太阳电池在现有的氮化硅薄膜层基础上又贴合一层不同折射率、不 同厚度的晶体硅薄膜，可进一步降低太阳电池受光面上的反射率，从而进一步提高晶体硅 太阳电池的光电转换效率。附图说明附图是本技术的结构图。图中所示1、受光面，2、氮化硅薄膜层，3、非晶硅薄膜层。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明。如图所示，本技术是一种晶体硅太阳电池，它包括一层氮化硅(SiNx)薄膜2， 它还包括一层不...
【技术保护点】
一种晶体硅太阳电池，它包括一层氮化硅薄膜（２），其特征在于：它还包括一层不同折射率、不同厚度的非晶硅薄膜（３），所述非晶硅薄膜层（３）的一表面与太阳电池的受光面（１）贴合，所述非晶硅薄膜层（３）的另一表面与所述氮化硅薄膜层（２）的表面贴合。
【技术特征摘要】
1、一种晶体硅太阳电池，它包括一层氮化硅薄膜(2)，其特征在于它还包括一层不同折射率、不同厚度的非晶硅薄膜(3)，所述非晶硅薄膜层(3)的一表面与太阳电池的受光面(1)贴合，所述非晶硅薄膜层(3)的另一表面与所述氮化硅薄膜层(2)的表面贴合。2、 根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄岳文，甘旭，季凯春，李华维，陈斌，孙励斌，徐晓群，殷海亭，李志强，唐则祁，胡宏勋，
申请(专利权)人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：97[中国|宁波]
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