一种超薄In2O3薄膜基微区应力传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种超薄In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜基微区应力传感器，该传感器由厚度为1‑3nm的In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜制成；所述In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜为立方晶系，由液态金属剥离法制成。In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜具有明显的挠曲电响应，且具有较大的正挠曲电系数。通过原子力显微镜微悬臂上的针尖对传感器施加微区梯度应力，并通过极化电压的检测实现纳牛级别的微区应力传感。在纳牛尺度下的不同压力具有明显的电流输出响应值差异，证明该传感器在微区应力检测方面具有高灵敏和高精度的优势。本发明专利技术通过原胞尺寸级别的In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜制备成应力传感器，实现了微区高灵敏，高精度的应力检测，为纳米尺度下的力电耦合传感器拓展了新思路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及应力传感器，尤其是一种由in2o3二维超薄薄膜制成的微区应力传感器。

技术介绍

1、in2o3属于透明导电材料中的热门材料，人们对其光学、电学和结构性质都有深入的研究。in2o3作为一种透明导电的半导体功能材料，光学带隙能达到2.6ev左右，在薄膜场效应晶体管应用方面具有很大的潜力。

2、由于in2o3具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，当氧化铟的颗粒尺寸达到纳米级别时，还具备纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等，其表体比比一般材料的表体比要高，所以其在光电领域、气体传感器、催化剂方面都得到了广泛应用。在传感器领域，in2o3纳米材料主要应用在气敏和气体传感器设备中，但是在其他类型的传感器上鲜有报道，例如在应力传感器上还未见相关研究及报道。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种由in2o3二维超薄薄膜制成的微区应力传感器，即一种超薄in2o3薄膜基微区应力传感器。

2、本专利技术提供的超薄in2o3薄膜基微区应力传感器由厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超薄In2O3薄膜基微区应力传感器，其特征在于，由厚度为1-3nm的In2O3薄膜制成，通过原子力显微镜微悬臂上的针尖对传感器施加微区梯度应力，并通过极化电压的检测实现纳牛级别的微区应力传感。

2.如权利要求1所述的超薄In2O3薄膜基微区应力传感器，其特征在于，所述In2O3薄膜为立方晶系。

3.如权利要求2所述的超薄In2O3薄膜基微区应力传感器，其特征在于，所述In2O3薄膜的制备方法如下：

4.如权利要求3所述的超薄In2O3薄膜基微区应力传感器，其特征在于，所述In颗粒的纯度为99.99％。

5.如权利要求3所述的超薄In...

【技术特征摘要】

1.一种超薄in2o3薄膜基微区应力传感器，其特征在于，由厚度为1-3nm的in2o3薄膜制成，通过原子力显微镜微悬臂上的针尖对传感器施加微区梯度应力，并通过极化电压的检测实现纳牛级别的微区应力传感。

2.如权利要求1所述的超薄in2o3薄膜基微区应力传感器，其特征在于，所述in2o3薄膜为立方晶系。

3.如权利要求2所述的超薄in2o3薄膜基微区应...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧建臻，赵亚楠，胡心一，陈冠羽，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：