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本发明公开了一种超薄In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜基微区应力传感器，该传感器由厚度为1‑3nm的In<subgt;2</subgt;O<subgt;3&l...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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