【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体蚀刻，具体是一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备及方法。
技术介绍
1、等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。
2、目前在对晶圆进行等离子蚀刻时采用将等离子体均匀的溅射在晶圆的表面，从而对氧化层进行去除，但在蚀刻氧化层的同时，会对掩膜也产生蚀刻，导致刻蚀选择比差，且在需要进行规则的图案蚀刻时，如条状蚀刻、网状蚀刻或点状蚀刻图案进行蚀刻时，现有的蚀刻设备精确度率较低。
3、针对以上问题，本专利技术提供了一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备，以解决上述问题。
技术实现思路
1、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备，包括：
2、壳体，其底部安装有多个万向轮；
3、保温组件，固定在所述壳体内；
4、蚀刻组件，...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备，其特征在于，所述外部供气设备包括控制单元、气体储存仓和混合调节仓，其中所述控制单元用于控制气体储存仓和混合调节仓的进气，所述气体储存仓被配置为多个，其内部储存有多种不同的蚀刻气体，且多个所述气体储存仓均与所述混合调节仓连通，所述混合调节仓与所述主进气管（5）连通。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻仓（31）靠近所述排气口（25）的一侧开设有出料口，所述出料口上安装有单向阀门，且所述蚀刻仓（31）和...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备，其特征在于，所述外部供气设备包括控制单元、气体储存仓和混合调节仓，其中所述控制单元用于控制气体储存仓和混合调节仓的进气，所述气体储存仓被配置为多个，其内部储存有多种不同的蚀刻气体，且多个所述气体储存仓均与所述混合调节仓连通，所述混合调节仓与所述主进气管（5）连通。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻仓（31）靠近所述排气口（25）的一侧开设有出料口，所述出料口上安装有单向阀门，且所述蚀刻仓（31）和内壳体（23）均与外部抽真空设备...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙文彬，戴建波，
申请(专利权)人：无锡邑文微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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