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本发明公开了一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备及方法，其涉及半导体蚀刻技术领域，包括壳体，其底部安装有多个万向轮；保温组件，固定在所述壳体内；蚀刻组件，固定在所述保温组件内，且其内部通过外部上料设备放置有晶圆；主进气管，一端贯穿所述壳体和保温组件...
该专利属于无锡邑文微电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡邑文微电子科技股份有限公司授权不得商用。

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