半导体器件及其制备方法技术

本公开的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法。该该半导体器件包括基底，基底的表面具有第一区域、第二区域和第三区域；第一介质层，施加在基底的第一区域和第三区域；栅电极，耦合至基底，包括栅帽区以及与基底的第二区域接触的接触区，栅帽区经由第一介质层而与基底的第一区域间隔开第一间距；第二介质层，施加在栅电极和第一介质层的外部，在第三区域，第二介质层与基底间隔开第二间距，第二间距小于第一间距。通过将栅帽区与基底间隔开的第一间距设置为比第二介质层与基底间隔开的第二间距大，能够在不改变其他设计结构的前提下降低寄生电容的容值，从而能够提高半导体器件在高频下的增益特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤岑，饶进，刘涛，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：