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本公开的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法。该该半导体器件包括基底，基底的表面具有第一区域、第二区域和第三区域；第一介质层，施加在基底的第一区域和第三区域；栅电极，耦合至基底，包括栅帽区以及与基底的第二区域接触的接触区，栅帽区经由第一介...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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