半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备：半导体层，具有元件区域和包围它的末端区域，且具有第一导电型的第一半导体部、在元件区域中位于第一半导体部上的第二导电型的第二半导体部和在末端区域中位于第一半导体部上的第一导电型的第三半导体部；第一电极，设于第二半导体部上；第二电极，设于第三半导体部上；半绝缘膜，设于半导体层的末端区域上，与第一电极及第二电极相接；绝缘膜，设于半导体层与半绝缘膜之间；以及绝缘性的保护膜。绝缘膜具有：内周部，设于第一电极中的位于末端区域侧的端部与第二半导体部中的位于末端区域侧的端部之间；外周部，设于第二电极与半导体层之间；以及中间部，设于内周部与外周部之间。中间部的厚度比内周部的厚度及外周部的厚度薄。

【技术实现步骤摘要】

实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

1、例如在用于电力控制的半导体装置中，提出过一种在末端区域设有半绝缘膜的结构。

技术实现思路

1、根据实施方式，半导体装置具备：半导体层，具有元件区域和包围所述元件区域的末端区域，且具有第一导电型的第一半导体部、在所述元件区域中位于所述第一半导体部上的第二导电型的第二半导体部和在所述末端区域中位于所述第一半导体部上且杂质浓度高于所述第一半导体部的第一导电型的第三半导体部；第一电极，设于所述第二半导体部上，与所述第二半导体部电连接；第二电极，设于所述第三半导体部上，与所述第三半导体部电连接；半绝缘膜，设于所述半导体层的所述末端区域上，与所述第一电极及所述第二电极相接；绝缘膜，设于所述半导体层与所述半绝缘膜之间；以及绝缘性的保护膜，设于所述半绝缘膜上。所述绝缘膜具有：内周部，设于所述第一电极中的位于所述末端区域侧的端部与所述第二半导体部中的位于所述末端区域侧的端部之间；外周部，设于所述第二电极与所述半导体层之间；以及中间部，设于所述内周部与所述外周部之间。所述中间部的厚度比所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：前多和诗，下条亮平，早濑茂昭，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：