【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制备，具体涉及一种能够有效去除晶圆表面镀层（镍/银）的溶液及其应用方法。
技术介绍
1、在半导体制造过程中，晶圆表面通常会镀上一层镍/银（ni/ag）以增强导电性和抗腐蚀性能。然而，在某些特定应用中，如晶圆的再循环利用或特定加工步骤，需要完全去除这层镍/银镀层。现有技术中，通常采用化学腐蚀或机械研磨的方法来去除镀层，但这些方法存在腐蚀效率低、成本高、操作复杂、容易损伤晶圆等问题。因此，需要一种高效、低成本且操作简便的溶液及其应用方法来实现晶圆表面镀层的去除。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种能够高效去除晶圆表面ni/ag镀层的溶液及其应用方法。所述溶液具有腐蚀效率高、成本低、操作简便、不会损伤晶圆本体等优点。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于去除晶圆表面ni/ag镀层的溶液及其应用方法，
3、该溶液的组成如下：
4、硝酸：作为主要氧化剂，浓度为20-30wt%；
5、氯化钠：浓度为5-10wt%，用于增强银的溶解度；
6、硫酸：浓度为5-10wt%，提供酸性环境，促进镍的溶解；
7、氟化氢：浓度为1-3wt%，用于防止氧化物在晶圆表面再次形成；
8、去离子水：余量，用于稀释溶液至所需浓度；
9、应用方法步骤如下：
10、步骤1，溶液准备：按照上述配方，在搅拌条件下，依次将硝酸、氯化钠、硫酸和氟化氢加入去离子水中，充分混
11、步骤2，晶圆准备：将待处理的晶圆置于洁净环境中，确保表面无大颗粒杂质。
12、步骤3，浸泡处理：将晶圆浸入预先配制的去镀溶液中，浸泡时间为5-10分钟，期间保持轻微的搅拌以促进溶液接触；
13、步骤4，中和清洗：将处理后的晶圆取出，立即用大量去离子水冲洗，彻底洗净残留溶液，然后用稀氢氧化钠溶液中和表面残余的酸液；
14、步骤5，干燥：使用无水酒精冲洗晶圆，随后在洁净环境下晾干或使用氮气吹干。
15、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
16、1.腐蚀效率：本专利技术所述溶液具有高腐蚀效率，能够在较短时间内完全去除晶圆表面的ni/ag镀层，同时不会对晶圆本体造成损伤。相比之下，现有化学腐蚀法通常需要更长的处理时间，且处理不均匀，存在残留风险。
17、2.成本控制：本专利技术采用经济实惠的化学试剂，配制简单，成本低。相较于机械研磨等方法，不仅设备投资小，更重要的是避免了因机械接触可能导致的晶圆损伤和污染问题。
18、3.操作简便：本专利技术通过溶液浸泡的方式，操作流程简单，易于在现有生产线中集成和应用。相比之下，机械研磨和其他复杂化学方法需要额外的设备和更多的人力资源，并且会增加操作复杂度。
19、4.环境友好：本专利技术中使用的化学试剂在适当处理后，对环境影响较小。相较于一些强酸强碱的使用，本专利技术的溶液配方更加温和，且废液容易处理。
20、附图说明
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于去除晶圆表面Ni/Ag镀层的溶液及其应用方法，其特征是：
【技术特征摘要】
1.一种用于去除晶圆表面ni/ag...
【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，邵毅，左鹏，韩五静，
申请(专利权)人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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