【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及白光LED用红色荧光材料及其制备方法。具体地，本专利技术涉及适于发 出400nm左右蓝紫光的GAN基芯片用碱土卤硼酸盐红色荧光材料及其制备方法。
技术介绍
GaN基发光二极管LED (light-emitting diode)是一种新型器件，具有体积小、发 热量低、耗电量小、寿命长、反应速度快、环保和可平面封装、易开发成微型化产品等优点， 可广泛用于各种照明设施，包括室内用红绿灯、交通指示灯、路灯、汽车用尾灯、户外用超大 屏幕、显示屏和广告板等，还可以作为各种仪器仪表的指示灯。 目前，LED实现发出白光的主要方案有在蓝光LED芯片上涂敷能被蓝光激发的黄 色荧光粉，蓝光和黄光混合形成白光；或者是在蓝光LED芯片上涂敷被蓝光激发而发出绿 光和红光的荧光粉，红光、蓝光、绿光混合形成白光；或者是近紫外光和蓝光LED芯片上涂 敷高效的三基色荧光粉而制成白光LED。 现在世界各国研究比较活跃的还是单个LED芯片和荧光粉组合发光的类型。其 中，已产业化的白光LED主要由蓝光LED芯片和荧光粉Y3A15012: Ce3+ (简称为YAG: Ce)组成， 即蓝光LE...
【技术保护点】
一种碱土卤硼酸盐荧光材料，其是白光ＬＥＤ用碱土卤硼硅酸盐红色荧光材料，所述碱土卤硼酸盐红色荧光材料的化学组成式为： Ｂａ↓［１－ｚ］Ｃａ↓［１＋ｚ－２ｘ］ＢＯ↓［３］Ｆ：ｘＥｕ↑［３＋］：ｘＭ↑［Ｉ］ 其中，Ｂａ↓［１－ｚ］Ｃａ↓［１＋ｚ－２ｘ］ＢＯ↓［３］Ｆ为基质，Ｍ↑［Ｉ］是碱金属离子Ｌｉ↑［＋］、Ｎａ↑［＋］、Ｋ↑［＋］中的一种或多种，ｘ＝０．０５－０．５，ｚ＝０．０－０．５。
【技术特征摘要】
一种碱土卤硼酸盐荧光材料，其是白光LED用碱土卤硼硅酸盐红色荧光材料，所述碱土卤硼酸盐红色荧光材料的化学组成式为Ba1-zCa1+z-2xBO3F:xEu3+:xMI其中，Ba1-zCa1+z-2xBO3F为基质，MI是碱金属离子Li+、Na+、K+中的一种或多种，x＝0.05-0.5，z＝0.0-0.5。2. 根据权利要求1所述的碱土卤硅酸盐荧光材料，其中，所述碱土卤硼酸盐荧光材料 的化学组成式中的x和z分别为x = 0. 05-0. 3， z = 0. 2-0. 5。3. 根据权利要求1所述的碱土卤硅酸盐荧光材料，其中，所述碱土卤硼酸盐荧光材料 为Ba08Ca08B03F:0. 2Eu3+:0. 2Na+、Ba05Ca09B03F:0. 3Eu3+:0. 3K+、BaCa08B03F:0. lEu3+:0. lLi+、 BaCa。.8B03F:0. lEu3+: (0. 05Li+，0. 05Na+)或者Ba。. 5Ca。.9B03F: 0. 3Eu3+: (0. lLi+， 0. lNa+， 0. 1K+)。4. 一种制备碱土卤硼酸盐荧光材料Bai—zCa1+z—^BO^xEu^xM1的方法，其中 Bai—zCa1+z—2xB03F为基质，M1是碱金属离子Li+、 Na+、 K+中的一种或多种，x = 0. 05-0. 5， z = 0. ...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙家跃，杜海燕，孙剑锋，周威，
申请(专利权)人：孙家跃，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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