一种宽电源范围高电源抑制比的无运放带隙基准电压源制造技术

本发明专利技术公开了一种宽电源范围高电源抑制比的无运放带隙基准电压源，涉及集成电路技术领域，包括：无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路，为不含运算放大器电路的自偏置结构，用于产生和输出基准电压；预稳压电路，用于抑制电源噪声，以及为无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路提供电源；启动电路，用于启动无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路和预稳压电路；PTAT电流产生电路，用于产生与温度变化呈正相关的正温度系数电流，并作为预稳压电路和启动电路的偏置电流。本发明专利技术所采用的电压自调节电路结构简单并且很好地提高了电源抑制比，仅采用一个启动电路，在具有高电源抑制比的同时电路结构更加简单，功耗更低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，具体而言，涉及用于数模混合电路的基准电压源，尤其是一种宽电源范围高电源抑制比的无运放的带隙基准电压源。

技术介绍

1、随着集成电路的快速发展，模拟电路模块与噪声较大的数字、射频电路等模块集成在同一块芯片上，导致基准电路将受到较大的噪声影响。高精度的带隙基准源是模拟和数模混合集成电路中的重要模块之一，为高精度应用电路提供稳定的基准电压，具有较高的电源抑制比。

2、如图1所示，由于使用了运算放大器，传统的带隙基准电路一方面显著增加了芯片面积和电路功耗，另一方面引入了失调电压，导致输出基准的精度以及温度特性变差。如图2所示，无运放的带隙基准源对电源噪声很敏感。为了能更好地抑制电源噪声，常采用共源共栅的结构来提高无运放的带隙基准源的电源抑制比，但共源共栅的结构很难应用于低电源电压场合。

3、现有的提高无运放的带隙基准源的电源抑制比的方法是引入预稳压电路。但为了使得预稳压电路工作正常，需增加额外的偏置电路和启动电路，这样会导致带隙基准电压源的功耗增加，结构更加复杂。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种宽电源范围高电源抑制比的无运放带隙基准电压源，其特征在于，包括：无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路，为不含运算放大器电路的自偏置结构，用于产生和输出基准电压；预稳压电路，用于抑制电源噪声，以及为无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路提供电源；启动电路，用于启动无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路和预稳压电路；PTAT电流产生电路，用于产生与温度变化呈正相关的正温度系数电流，并作为预稳压电路和启动电路的偏置电流。

2.根据权利要求1所述宽电源范围高电源抑制比的无运放带隙基准电压源，其特征在于，启动电路包括PMOS管MP8、MP9和MP10，NMOS管MN13，以及缓冲电...

【技术特征摘要】

1.一种宽电源范围高电源抑制比的无运放带隙基准电压源，其特征在于，包括：无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路，为不含运算放大器电路的自偏置结构，用于产生和输出基准电压；预稳压电路，用于抑制电源噪声，以及为无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路提供电源；启动电路，用于启动无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路和预稳压电路；ptat电流产生电路，用于产生与温度变化呈正相关的正温度系数电流，并作为预稳压电路和启动电路的偏置电流。

2.根据权利要求1所述宽电源范围高电源抑制比的无运放带隙基准电压源，其特征在于，启动电路包括pmos管mp8、mp9和mp10，nmos管mn13，以及缓冲电路；pmos管mp8和mp9的源极，以及nmos管mn13的栅极均接电源端vdd；nmos管mn13的漏极和pmos管mp9的漏极连接后，通过缓冲电路连接pmos管mp10的栅极；nmos管mn13的源极接地，栅极接电源端vdd；pmos管mp9的栅极、pmos管mp8的栅极和pmos管mp8的漏极连接，之后与ptat电流产生电路连接；pmos管mp10的源极和漏极分别接预稳压电路和无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路。

3.根据权利要求2所述宽电源范围高电源抑制比的无运放带隙基准电压源，其特征在于，缓冲电路包括反相器inv1和反相器inv2，反相器inv2的输入端连接nmos管mn13的漏极和pmos管mp9的漏极，反相器inv2的输出端连接反相器inv1的输入端，反相器inv1的输出端连接pmos管mp10的栅极。

4.根据权利要求2所述宽电源范围高电源抑制比的无运放带隙基准电压源，其特征在于，预稳压电路包括pmos管mp0、mp6和mp7，nmos管mn7、mn8和mn12，以及电阻r5；pmos管mp6和mp7的源极接电源端vdd；pmos管mp6的栅极和漏极，nmos管mn8的漏极，以及pmos管mp7的栅极连接pmos管mp10的源极；pmos管mp7的漏极，nmos管mn8的栅极，pmos管mp0的源极，以及nmos管mn12的栅极接无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路和ptat电流产生电路；nmos管mn12的源极和漏极接地；nmos管mn8的源极接nmos管mn7的漏极；nmos管mn7的源极和电阻r5的一端均接地；电阻r5的另一端接pmos管mp0的漏极；pmos管mp0的栅极接无运放带隙基准电压源核心温度补偿电路；nmos管mn7的栅极接...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超权，伍莲洪，
申请(专利权)人：成都观岩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：