一种雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜及其原位掺杂制备方法技术

本发明专利技术公开了一种雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜及其原位掺杂制备方法，将MAX与PbX<subgt;2</subgt;加入到溶剂中，进行原位掺杂，生成钙钛矿MAPb<subgt;3</subgt;X，得到钙钛矿前驱体溶液；其中，X为Cl、Br与I中的一种，MA为甲胺阳离子；将钙钛矿前驱体溶液雾化后沉积到玻璃载体上，在玻璃载体上形成钙钛矿薄膜；将沉积有钙钛矿薄膜的载体退火，得到钙钛矿薄膜。本发明专利技术所述步骤制备的钙钛矿薄膜，可实现钙钛矿X位中卤族元素可任意掺杂，使得钙钛矿薄膜带隙具有可调控性，并且可制备出大尺寸，高表面平滑度纳米级厚度的钙钛矿薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电材料，特别涉及一种雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜及其原位掺杂制备方法。

技术介绍

1、过去几年里，钙钛矿abx3(x＝cl,br,i或混合)薄膜材料具有独特的光学特性和良好的发光性能，包括可调控的带隙宽度，将成为下一代光电材料的候选者。目前，主流制备钙钛矿薄膜的方法有很多，如：旋涂，刮涂，喷涂，丝网印刷等方法，这些方法各有优缺点，如旋涂方法可以制备较薄的钙钛矿薄膜，但因设备受限，无法制备大尺寸的钙钛矿薄膜；而刮涂法可以制备大尺寸的钙钛矿薄膜，却因本身技术受限，制备的薄膜厚度较厚，无法制备出光滑的薄膜。

2、在这些薄膜制备技术方法中，利用喷涂的方法制备钙钛矿薄膜已经成为了研究的热点。杨智等人，利用喷涂的方法制备了钙钛矿量子点薄膜，前驱体材料的利用率高达32％，沉积速9nm/s；james e.bishop等人通过喷涂的方法，制备了太阳能电池中的钙钛矿层薄膜，其转换功率达19.4％；这些优点对钙钛矿薄膜的制备有着极大的进步。然而喷涂方法的缺点也很明显，由于喷涂的方法无法将溶液中的分子分解纳米级尺寸，所以在沉积的时候会出现孔洞及表面粗本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜的原位掺杂制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜的原位掺杂制备方法，其特征在于，MAX与PbX2的摩尔比1:1。

3.根据权利要求1所述的雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜的原位掺杂制备方法，其特征在于，溶剂为DMF或DMSO。

4.根据权利要求1所述的雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜的原位掺杂制备方法，其特征在于，钙钛矿前驱体溶液的浓度为0.1-1mmol/L。

5.根据权利要求1所述的雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜的原位掺杂制备方法，其特征在于，雾化后钙钛矿前驱...

【技术特征摘要】

1.一种雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜的原位掺杂制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜的原位掺杂制备方法，其特征在于，max与pbx2的摩尔比1:1。

3.根据权利要求1所述的雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜的原位掺杂制备方法，其特征在于，溶剂为dmf或dmso。

4.根据权利要求1所述的雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜的原位掺杂制备方法，其特征在于，钙钛矿前驱体溶液的浓度为0.1-1mmol/l。

5.根据权利要求1所述的雾化沉积纳米级厚度钙钛矿薄膜的原位掺杂制备方法，其特征在于，雾化后钙钛矿前驱体溶液的粒径小于1μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：汪敏强，万王超，李超强，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：

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