一种背接触电池及光伏组件制造技术

本发明专利技术公开了一种背接触电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的反向击穿电压的同时，有效控制背接触电池的漏电损耗。所述背接触电池包括：半导体衬底、第一掺杂区、第二掺杂区和至少一个导电半导体结构。第一掺杂区和第二掺杂区交替间隔分布在半导体衬底的背光面一侧。每个导电半导体结构至少部分位于第一掺杂区和第二掺杂区之间，且第一掺杂区的仅部分区域和第二掺杂区的仅部分区域分别与至少一个导电半导体结构电性接触。位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的间隔区域的宽度为D1。沿间隔区域的延伸方向，导电半导体结构的宽度为W，且0.5D1≤W≤6D1。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，尤其涉及一种背接触电池及光伏组件。

技术介绍

1、背接触电池是指电池片的向光面无电极，正、负电极均设置在电池片背光面一侧的太阳能电池，从而可以减少电极对电池片的遮挡，增加电池片的短路电流，提高电池片的能量转化效率。具体的，现有的背接触电池中共同位于背光面一侧且导电类型相反的两个掺杂层之间会通过断续的间隔区域部分隔离开，以降低背接触电池的反向击穿电压，从组件端降低热斑风险。

2、但是，现有的背接触电池中间隔区域未被断开的部分沿自身延伸方向的宽度设置不合理，导致从电池端来看，背接触电池的漏电流较大，进而使得背接触电池的工作效率较差。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种背接触电池及光伏组件，以通过导电半导体结构使得导电类型相反的第一掺杂区和第二掺杂区局部电性连通，有效降低背接触电池的反向击穿电压，同时合理设置每个导电半导体结构沿间隔区域的延伸方向的宽度，有效控制背接触电池的漏电损耗，进而使得背接触电池具有较高的工作效率。

2、为了实现上述目的，第一方面，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：半导体衬底、第一掺杂区、第二掺杂区和至少一个导电半导体结构；

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述导电半导体结构均形成在所述半导体衬底内，且所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述导电半导体结构中的每一者背离所述半导体衬底向光面的一侧表面均与所述半导体衬底背光面的相应区域表面平齐；

3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中与所述导电半导体结构导电类型相反的一者、以及导电半导体结构均包括位于所述半导体衬底的背光面上的掺杂半导体层；所述第一掺杂区和...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：半导体衬底、第一掺杂区、第二掺杂区和至少一个导电半导体结构；

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述导电半导体结构均形成在所述半导体衬底内，且所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述导电半导体结构中的每一者背离所述半导体衬底向光面的一侧表面均与所述半导体衬底背光面的相应区域表面平齐；

3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中与所述导电半导体结构导电类型相反的一者、以及导电半导体结构均包括位于所述半导体衬底的背光面上的掺杂半导体层；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区中与所述导电半导体结构的导电类型相反的一者和所述导电半导体结构之间的接触面包括侧面有效电性接触面；所述侧面有效电性接触面的高度为侧面有效电性接触高度z；

4.根据权利要求3所述的背接触电池，其特征在于，在所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及导电半导体结构均包括形成在背光面上的掺杂半导体层的情况下，

5.根据权利要求2～4任一项所述的背接触电池，其特征在于，0.00005mm≤z≤0.002mm。

6.根据权利要求4所述的背接触电池，其特征在于，在所述第一掺杂区和第二掺杂区中与导电半导体结构导电类型相反的一者包括的掺杂半导体层靠近半导体衬底背光面一侧的设置高度小于所述导电半导体结构包括的所述掺杂半导体层靠近半导体衬底背光面一侧的设置高度，且所述第一掺杂区和第二掺杂区中与导电半导体结构导电类型相反的一者包括的掺杂半导体层的侧面的一部分与所述半导体衬底电性接触、以及所述第一掺杂区和第二掺杂区中与导电半导体结构导电类型相反的一者包括的掺杂半导体层的侧面的另一部分与所述导电半导体结构电性接触的情况下，

7.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，0.5d1≤w≤3d1。

8.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均包括多个条状掺杂区；所述第一掺杂区包括的条状掺杂区和所述第二掺杂区包括的条状掺杂区平行且间隔分布；

9.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区呈叉指状交替间隔分布的情况下，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均包括多个条状掺杂区和至少一个连接区；所述第一掺杂区包括的条状掺杂区和所述第二掺杂区包括的条状掺杂区平行且交替间隔分布；每个连接区和与自身导电类型相同的相应所述条状掺杂区电性连接；所述连接区的延伸方向不同于所述条状掺杂区的延伸方向；

10.根据权利要求8或9所述的背接触电池，其特征在于，在所述导电半导体结构至少部分位于分别属于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区、且相邻的两个所述条状掺杂区之间的情况下，所述第一掺杂区中，与所述导电半导体结构对应的所述条状掺杂区的宽度为d2；所述第二掺杂区中，与所述导电半导体结构对应的所述条状掺杂区的宽度为d3；

11.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑶，童洪波，赵学亮，陈晨，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：