【技术实现步骤摘要】
本公开涉及压电器件，尤其涉及一种压电器件及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、近年来，随着器件日益集成化、小型化和智能化，以pzt为代表的钙钛矿压电薄膜以优异的介电性能、铁电性能以及高集成加工密度，在驱动器、传感器及换能器等研发制造中占据主流地位。然而，现有的压电器件性能较差。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种压电器件及其制备方法、电子设备，压电器件中压电薄膜的取向增强，从而提高了压电器件的性能。
2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
3、一方面，提供了一种压电器件的制备方法，包括：
4、提供基板；所述基板包括衬底以及设置在所述衬底表面的底电极层；
5、对所述基板进行退火处理；
6、在所述底电极层的表面制备压电薄膜。
7、在一些实施方式中，所述退火处理的退火温度为400℃至650℃。
8、在一些实施方式中，所述退火处理的升温速度为5℃/min至10℃/min，退火保温时间为20mi
【技术保护点】
1.一种压电器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的压电器件的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为400℃至650℃。
3.根据权利要求2所述的压电器件的制备方法，其特征在于，所述退火处理的升温速度为5℃/min至10℃/min，退火保温时间为20min至60min。
4.根据权利要求2所述的压电器件的制备方法，其特征在于，所述退火处理的升温速度为5℃/s至10℃/s，退火保温时间为2min至10min。
5.根据权利要求1所述的压电器件的制备方法，其特征在于，所述底电极层的材料为铟锡氧化物
【技术特征摘要】
1.一种压电器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的压电器件的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为400℃至650℃。
3.根据权利要求2所述的压电器件的制备方法，其特征在于，所述退火处理的升温速度为5℃/min至10℃/min，退火保温时间为20min至60min。
4.根据权利要求2所述的压电器件的制备方法，其特征在于，所述退火处理的升温速度为5℃/s至10℃/s，退火保温时间为2min至10min。
5.根据权利要求1所述的压电器件的制备方法，其特征在于，所述底电极层的材料为铟锡氧化物、铂、钌或者金。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的压电器件的制备方法，其特征在于，所述基板还包括黏附层，所述黏附层位于所述衬底与所述底电极层之间。
7.根据权利要求6所述的压电器件的制备方法，其特征在于，所述对所述基板进行退火处理，包括：
8.根据权利要求7所述的压电...
【专利技术属性】
技术研发人员：位秋梅，花慧，王迎姿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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