【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。
技术介绍
1、随着动态存储器的集成密度朝着更高的方向发展，对动态存储器阵列结构中晶体管的排布方式以及晶体管尺寸产生了更高的要求。通常，在半导体结构中需要形成多个间隔排布的位线，分别与不同的晶体管之间进行信号传输。为了使相邻的位线之间不会产生电干扰，还需要在位线的侧壁形成位线侧墙，用于起到隔绝相邻位线以及保护位线的作用。
2、然而，目前在制备半导体结构的工艺过程中，形成的位线接触结构均一性较差，存在空洞、颈缩的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，至少有利于目前在形成位线的工艺中，形成的位线接触结构均一性较差的问题。
2、本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底具有阵列排布的有源区以及所述有源区之间的隔离结构；在所述衬底上形成位线接触结构，所述位线接触结构至少覆盖所述有源区的部分顶面，所述位线接触结构的底面平齐于所述衬底的顶面；在...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述位线接触结构的方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述隔离结构顶面与所述有源区顶面齐平，所述位线接触结构还覆盖所述隔离结构的部分顶面。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用双重曝光刻蚀工艺或者自对准双重成像工艺对所述导电材料层进行图案化工艺。
5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底包括阵列区以及外围区，所述位线接触结构形...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述位线接触结构的方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述隔离结构顶面与所述有源区顶面齐平，所述位线接触结构还覆盖所述隔离结构的部分顶面。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用双重曝光刻蚀工艺或者自对准双重成像工艺对所述导电材料层进行图案化工艺。
5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底包括阵列区以及外围区，所述位线接触结构形成于所述阵列区，所述外围区包括晶体管区；在形成所述导电材料层之前，还包括：在所述外围区的所述晶体管区形成初始栅极介质层；所述导电材料层还形成于所述外围区的所述初始栅极介质层顶面；形成所述导电材料层后，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在垂直于所述衬底顶面方向上，所述位线接触结构的厚度与所述第一栅极层的厚度相等。
7.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡明蒲，刘璇，陶文洁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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