半导体装置和具备半导体装置的逆变器制造方法及图纸

半导体装置和具备半导体装置的逆变器的特征在于，正极布线板上的上臂半导体元件和交流布线板通过第1布线构件连接，交流布线板上的下臂半导体元件和负极布线板通过第2布线构件连接，所述交流布线板具有：连接有第1布线构件的第1区域、设置有所述下臂半导体元件的第2区域、连接该2个区域的连接区域，所述连接区域为隔着使用所述第1布线构件及第2布线构件的区域，与所述正极端子及负极端子相反的位置，配置顺序是所述正极布线板、所述负极布线板、所述第1区域、所述第2区域的顺序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置和具备半导体装置的逆变器。

技术介绍

1、以ev(electric vehicle：电动汽车)动力传动系的高效率化为目的，需要使用以比si(silicon：硅)低的损耗进行动作的sic(silicon carbide：碳化硅)的逆变器。

2、sic根据高速开关和芯片尺寸小这两个特征，要求搭载并联的许多芯片进行驱动。此时，由于将芯片多并联连接，布线长度变长，因此产生sic芯片的漏极/源极周边电感增大，损耗增加的问题。进而，由于电感的偏差也引起电流集中，所以为了抑制开关时的浪涌电压，在逆变器的结构中需要低电感化。进而，为了抑制开关时的电流集中，还需要多个sic芯片之间的等电感化。特别是，在具备半导体装置的单面直冷型的功率模块中，需要进行使用了引线键合和陶瓷基板的图案的布线，使用它们将各sic芯片做成等电感结构。

3、作为本申请专利技术的
技术介绍
，在下述的专利文献1中，公开了在三相逆变器中，通过层压正极、负极的图案来降低电感的逆变器的构成。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其是逆变器所具备的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.一种逆变器，其特征在于，具备：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其是逆变器所具备的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：妹尾政宏，德山健，石井隆，
申请(专利权)人：日立安斯泰莫株式会社，
类型：发明
国别省市：