具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外LED芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外LED芯片，包括外延结构和第一电极层。外延结构至少包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层，第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层属于AlGaN基半导体层，第一导电半导体层是N型掺杂层；第一电极层包括AlGaN纳米层和金属电极；AlGaN纳米层设置于第一导电半导体层上，AlGaN纳米层的Al组分高于第一导电半导体层中的Al组分；金属电极设置于AlGaN纳米层上，AlGaN纳米层内形成有纳米孔洞结构，金属电极包括设置在纳米孔洞结构内的第一金属纳米量子点结构。本发明专利技术的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外LED芯片，能够降低n型欧姆接触的金半接触电阻，从而降低深紫外LED芯片的工作电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，具体涉及一种具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外led芯片。

技术介绍

1、深紫外光在杀菌消毒、医疗健康、生化检测、固化加工、工业除污等众多领域有着巨大的应用价值。近几年，随着新型冠状病毒(covid-19)的爆发，可直接用于杀菌消毒的深紫外光源变得越发重要。algan基深紫外发光二极管(led)有着绿色环保、波长易调、响应速度快、易于集成、寿命长等众多优点，具有重要应用价值以及良好的经济和社会效益，吸引了国内外众多研究机构和产业界的高度重视。

2、目前，深紫外led的外延结构主要由高al组分的algan材料组成，对于高al组分的n型algan材料，虽然其载流子浓度比高al组分的p型algan材料高一个数量级，但与gan相比，仍然存在掺杂困难的问题。由于algan材料禁带宽度大，晶体质量较差，要使n型欧姆接触电极具有低阻特性更加困难，从而容易形成“电流拥堵”。并且n型欧姆接触电极的制备对工艺要求也较高。因此实现在高al含量algan材料下制备低阻n型欧姆接触电极，使得深紫外led芯片工作电压降低，是提高紫外外延芯片光电转换本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外LED芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外LED芯片，其特征在于，所述AlGaN纳米层中的Al组分在远离所述第一导电半导体层的方向上增加，所述AlGaN纳米层中的Al组分范围为0.5～0.8。

3.根据权利要求1所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外LED芯片，其特征在于，所述AlGaN纳米层的厚度为1nm～20nm。

4.根据权利要求1所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外LED芯片，其特征在于，所述第一金属纳米量子点结构的横向尺寸为1nm～30nm，纵向尺寸为1n...

【技术特征摘要】

1.一种具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外led芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外led芯片，其特征在于，所述algan纳米层中的al组分在远离所述第一导电半导体层的方向上增加，所述algan纳米层中的al组分范围为0.5～0.8。

3.根据权利要求1所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外led芯片，其特征在于，所述algan纳米层的厚度为1nm～20nm。

4.根据权利要求1所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外led芯片，其特征在于，所述第一金属纳米量子点结构的横向尺寸为1nm～30nm，纵向尺寸为1nm～20nm。

5.根据权利要求1所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外led芯片，其特征在于，所述金属电极还包括设置在所述algan纳米层和第一金属纳米量子点结构上的多个金属层，所述多个金属层中的至少一个金属层设置成金属纳米量子点结构。

6.根据权利要求5所述的具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外led芯片，其特征在于，所述多个金属层至少包括一个金属反射层，所述金属反...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐唯卿，魏永强，许奇明，沈雁伟，
申请(专利权)人：苏州立琻半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：