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本发明公开了一种具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外LED芯片，包括外延结构和第一电极层。外延结构至少包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层，第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层属于AlGaN基半导体层，第一导电半导体层是N型掺杂...
该专利属于苏州立琻半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州立琻半导体有限公司授权不得商用。

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